메모리 반도체에서의 Short Channel Effect

Q. 메모리 반도체에서의 Short Channel Effect

지지렁

안녕하세요 반도체를 공부하다가 궁금한게 생겨 요청드립니다. Short Channel Effect가 발생하면 해결방안으로 DIBL, Punch-through, HCI 등으로 해결 또는 완화할 수 있다고 배웠습니다. 그런데 이런 방법은 시스템반도체에서 적용될 수 있는 기술들이라고 들었는데요 정말 위의 방법들이 시스템반도체에서만 적용되는 방법인가요? 이것이 맞다면 메모리반도체에서의 SCE 해결 방법은 무엇인지 궁금합니다. (그리고 메모리반도체든지 시스템반도체든지 SCE 해결방안으로 무엇이 있는지 궁금합니다.)

2020.02.06

답변 1

l
lIIIIl삼성전자
코사장 ∙ 채택률 79%
채택된 답변
안녕하세요. 트렌지스터의 채널이 짧아지면 발생하는 SCE 현상들 종류에 DIBL, Punch through, HCI 등이 있습니다. DIBL, Punch, HCI가 SCE 현상을 완화하는게 아닙니다. 로직 반도체 뿐만 아니라 메모리 역시 트렌지스터로 만들어져 있기 때문에 SCE가 문제가 되고 있습니다. 해결 방법으로는 Halo IIP를 때린다든지 Source Drain의 농도 조절 등이 있습니다.
*현직자 3만 명의 취업 정보가 실시간 업데이트됩니다.
2020.02.06
AD
반도체
설계팀
대기업 반도체 산업으로 취업하기 위해선, 직관적 해석능력과 사고력이 필요합니다. 핵심 역량과 배운 지식을 취업에 활용하고 싶다면 국비지원 강의를 추천합니다.