회사/산업 · 삼성전자 / 공정기술

Q. 반도체 제작과정

안녕하세요.

DRAM, NAND의 세부 제품(LPDDR, GDDR, DDR, HBM, SSD, eSSD 등) 어떻게 만들어지는지 궁금합니다

기본적으로 DRAM, NAND를 대량으로 만들어 놓고 뒷 공정을 달리 해서 만드는 것인가요?

contact 이후 metal층의 설계에 따라서 제품이 달라진다고 얼핏 들은 것 같은데 확실하지가 않습니다

소자층 형성 까지는 동일한지, 세부 제품에 따라서 이전 step도 아예 달라지는지, 비슷한지 궁금합니다

시스템 반도체의 경우 NAND, DRAM과 같은 동작원리는 따로 없고 기본적인 mosfet 동작원리로 작동한다고 알고있는데, 이도 마찬가지로

소자층 형성 까지는 동일한지, 세부 제품에 따라서 이전 step도 아예 달라지는지, 비슷한지 궁금합니다

보총 학교에서는 구형 cmos process를 배우는데, 이1개의 트랜지스터 형성 과정으로는 어떻게 nand dram cpu gpu 이런게 만들어지는지 이해가 가지 않습니다!

답변 7
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반도체 제작 과정은 복잡하며, DRAM과 NAND 플래시 메모리의 세부 제품들은 기본적으로 동일한 제조 공정을 기반으로 하지만, 각 제품의 특성과 용도에 따라 공정의 세부 사항이 달라집니다.

DRAM과 NAND의 경우, 초기 소자층 형성 과정은 유사하지만, 이후의 공정에서 차별화가 이루어집니다. 예를 들어, DRAM의 경우 저장 셀 구조와 메모리 셀의 배열 방식이 NAND와 다르기 때문에, 각 제품의 특성에 맞춘 후속 공정이 필요합니다. 특히, 메탈층 설계와 연결 방식이 제품의 성능과 기능에 큰 영향을 미칩니다.

시스템 반도체의 경우, MOSFET 동작 원리를 기반으로 하며, 이 또한 소자층 형성 과정은 비슷하지만, 특정 응용에 따라 설계와 공정이 달라질 수 있습니다. 예를 들어, CPU와 GPU는 각각의 기능에 맞춘 최적화된 공정을 통해 제작됩니다.

결론적으로, DRAM, NAND, CPU, GPU 등 다양한 반도체 제품들은 기본적인 공정 단계에서 유사성을 가지지만, 각 제품의 특성과 요구 사항에 따라 세부 공정이 달라지며, 이는 최종 제품의 성능과 기능에 직접적인 영향을 미칩니다.

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M
Memory Department
코상무 ∙ 채택률 82% ∙
회사 산업
일치

지원자님, 안녕하세요~!

반도체 제작 과정에 대한 궁금증이 많으시네요! 정말 중요한 부분을 짚어 주신 것 같아요~

DRAM과 NAND의 경우, 기본적인 소자층 형성 과정은 비슷하지만, 세부 제품(LPDDR, GDDR, DDR, HBM, SSD, eSSD 등)에 따라 공정이 다르게 진행돼요. 보통 소자층 형성과 초기 공정은 대부분 비슷하게 진행되지만, Contact 이후 Metal층의 설계나 후공정(패키징 등)에서 큰 차이가 생겨 각 제품의 특성과 성능을 맞추는 방식으로 진행됩니다~ 특히 DRAM과 NAND는 제품 특성상 설계부터 테스트까지 완전히 다른 프로세스를 거치기도 해요!

DRAM과 NAND의 소자층 형성은 기본적으로 동일한 MOSFET 기반이지만, NAND는 플로팅 게이트 구조(또는 최근의 3D NAND에서는 Charge Trap 기술)를 사용하고, DRAM은 Capacitor와 Transistor의 조합으로 동작하기 때문에 세부 공정과 레이아웃에서 차이가 큽니다. 제품군에 따라 초기 공정에서부터 최적화를 다르게 적용하는 경우도 있고, 일부 스텝은 동일하지만 이후 단계에서 달라지는 경우도 많아요~

시스템 반도체(CPU, GPU 등)의 경우도 기본적으로 MOSFET 동작 원리를 사용하지만, NAND/DRAM과는 완전히 다른 공정 노드와 설계 구조를 사용해요. 시스템 반도체는 로직 회로 기반으로 동작하기 때문에, CMOS 공정을 기반으로 다층 Metal Interconnect 구조를 형성하여 복잡한 회로를 구성합니다. 초기에 배우는 구형 CMOS 공정은 기본 원리를 이해하는 데 도움을 주지만, 실제로 CPU나 GPU 같은 제품은 수십억 개의 트랜지스터가 집적된 고도화된 공정으로 만들어져요~

그래서 단일 트랜지스터의 형성과는 비교가 어려울 정도로 세밀하고, 다양한 공정 기술이 적용된답니다!

이해가 잘 되셨길 바라요~! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!


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d
do__young
코상무 ∙ 채택률 59% ∙
회사 산업
일치

디램 공부하시면 알겠지만 lpddr ddr gddr들은 정말 다릅니다 스펙도 다르고 기능도 다르고 아얘 다른 제품이라고 생각하시면 됩니다 그에 따라 회로도 다 달라요


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도다리쑥국
코부장 ∙ 채택률 75% ∙
회사 산업
일치

아예 처음부터 끝까지 공정이 다릅니다. (step은 비슷할지라도 조건이 다르죠)
학교에서 배우는 구형 cmoss process가 수백 번 반복된다고 생각하면 되고요.
쉽게 얘기해보면.. DRAM이나 NAND의 세부 구조를 보면요
Cell과 그 주위에 다양한 소자(Sesnsing 담당 등..)가 있는데
우선 제품 내 Cell만 보더라도 학교에서 배우는 Cell 하나가 아니라 수천~만개의 Cell이 집적되어 있죠 .그리고 그 주위의 다양한 소자도 각 제품마다 들어가는 게 다르고, Rev됨에 따라서도 공정조건이 달라집니다.

결국 처음부터 끝까지 전공정, 후공정은 모두 다르게 진행되어 dram, nand 제품이 제작됩니다.


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기흥평택하드워커
코전무 ∙ 채택률 71% ∙
회사 산업
일치

안녕하세요
제품 특성마다 다릅니다 즉 규격대로 만들어지는 것들도 있지만 CPU 계열 등은 파운드리 고객 설계 해놓은대로 만들어놓기도 합니다 공정은 일정합니다 다만 nm 영역으로 만드는 수준이 다른 것이지요 아직 기초에 대해서 잘모르시는 것 같으신데 유튜브 내에도 반도체 소자 구성 및 공정에 대한 영상들이 많으니 참고하시거나 전공서적 몇회독 부탁드립니다
이상채택 바랍니다


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흰수염치킨
코이사 ∙ 채택률 80% ∙
회사 직무 산업
일치

안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다.
다 다른 제품들이라 설계단계부터 달라요
만들어놓고 일부를 변경하는게 아니라 처음 시작 공정부터 달라요
도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^


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다시 돌아온 상
코사장 ∙ 채택률 98%

안녕하세요 멘티님
해당 질문에 대해 답변 드리겠습니다.


제품의 종류마다 아예 다 다릅니다.
처음부터 어떤 걸 생산해야겠다라는 걸 정해놓고 공정을 시작합니다.


도움이 된 답변이라면 채택 부탁드려요!


취업에 성공하시길 바랍니다!


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