Q. 반도체 제작과정
안녕하세요.
DRAM, NAND의 세부 제품(LPDDR, GDDR, DDR, HBM, SSD, eSSD 등) 어떻게 만들어지는지 궁금합니다
기본적으로 DRAM, NAND를 대량으로 만들어 놓고 뒷 공정을 달리 해서 만드는 것인가요?
contact 이후 metal층의 설계에 따라서 제품이 달라진다고 얼핏 들은 것 같은데 확실하지가 않습니다
소자층 형성 까지는 동일한지, 세부 제품에 따라서 이전 step도 아예 달라지는지, 비슷한지 궁금합니다
시스템 반도체의 경우 NAND, DRAM과 같은 동작원리는 따로 없고 기본적인 mosfet 동작원리로 작동한다고 알고있는데, 이도 마찬가지로
소자층 형성 까지는 동일한지, 세부 제품에 따라서 이전 step도 아예 달라지는지, 비슷한지 궁금합니다
보총 학교에서는 구형 cmos process를 배우는데, 이1개의 트랜지스터 형성 과정으로는 어떻게 nand dram cpu gpu 이런게 만들어지는지 이해가 가지 않습니다!
DRAM과 NAND의 경우, 초기 소자층 형성 과정은 유사하지만, 이후의 공정에서 차별화가 이루어집니다. 예를 들어, DRAM의 경우 저장 셀 구조와 메모리 셀의 배열 방식이 NAND와 다르기 때문에, 각 제품의 특성에 맞춘 후속 공정이 필요합니다. 특히, 메탈층 설계와 연결 방식이 제품의 성능과 기능에 큰 영향을 미칩니다.
시스템 반도체의 경우, MOSFET 동작 원리를 기반으로 하며, 이 또한 소자층 형성 과정은 비슷하지만, 특정 응용에 따라 설계와 공정이 달라질 수 있습니다. 예를 들어, CPU와 GPU는 각각의 기능에 맞춘 최적화된 공정을 통해 제작됩니다.
결론적으로, DRAM, NAND, CPU, GPU 등 다양한 반도체 제품들은 기본적인 공정 단계에서 유사성을 가지지만, 각 제품의 특성과 요구 사항에 따라 세부 공정이 달라지며, 이는 최종 제품의 성능과 기능에 직접적인 영향을 미칩니다.
2024.12.14