FINFET, GAA같은 로직 소자 그 다음 ex CFET같은 아키텍처를 개발하고 연구하는 직업이 파운드리공설인가요 반연 공설인가요?

RRAM 크로스바 어레이 수율 개선 경험이 있는데, 이를 토대로 앞으로는 폰노이만 구조에서 탈피해서 비 폰노이만 구조로 가야하기 때문에 인메모리 컴퓨팅 개발이 필요할 거고, 그런 시점에서 재료과인 제가 할 수 있는건 차세대 메모리 중에서도 멤리스터에 해당하는 FTJ, PRAM, FeRAM과 같은 애들의 성능 및 수율 개선이라 생각한다고 지원동기에 쓰려고 합니다. . RRAM은 하지 않고 있다고 들어서 이렇게 작성하려고 하는데, 이와 같은 차세대 메모리들을 반연에서 다루는 것이 맞는지 궁금합니다 또 MRAM을 크로스바 어레이로 쓰는 논문을 삼성에서 낸 걸로 알고있는데, MRAM은 파운드리에서 하고 있는 것으로 알고있습니다..! 그렇지만 이런 부분을 보면 뉴로모픽이나 인메모리 컴퓨팅 분야에 반연도 충분한 관심이 있는 것으로 생각이 되는데, 인메모리 컴퓨팅 개발 쪽으로 필요하다고 적어도 괜찮은 접근일지 의견이 궁금합니다.

안녕하세요 저는 대구 지거국 물리학과에 재학중인 2학년 학생입니다. 곧있으면 2학기를 시작하는데 반도체에 관심이 있어 반도체 융합전공을 하며 반도체 관련 과목을 수강 중입니다. 또한 2학기에 기업과 프로젝트를 해서 FIB를 활용해 나노 피펫 소자 제작 및 품질 신뢰 검증을 해보고 옐로우룸에서 리소그래피 공정 실습을 할 예정입니다. 그리고 제가 1학기에 전산물리를 이수했고 프로그래밍이 재밌어서 반도체와 프로그래밍을 동시에 할 수 있는 전산재료물리 연구실에서 학부 연구생을 하며 DFT를 이용하여 컴퓨터로 물질의 성질이나 물질을 새로 디자인해서 물성을 예측해보는 일을 해보고 싶습니다. 근데 이 연구가 이종성장, 박막 strain, 격자구조에 대해 관련된 건데 제가 가고 싶은 반도체 공정설계나 공정기술 직무 쪽에 적합한지를 잘 모르겠네요... 차라리 고체물리실험 쪽을 가서 PVD를 해보면 어떨까 싶기도 하고.. 또 그러기엔 컴퓨터 프로그래밍을 좀 하고 싶은데 어떡해야 될지 모르겠습니다