대학생 고민 · 삼성전자 / 공정설계

Q. 이 경우, off current 값의 원인을 contact hole etch당시 over etch 때문이라고 결론 내려도 괜찮을까요?

제가 제작한 NMOS의 누설전류가 2.48A로 높아서 원인을 파악하던 중에 contact hole etch 이 over etch된거 같았습니다. 왜냐하면 dry etch,wet etch 이후 현미경 관찰 당시 under cut이 보였기 때문입니다. 따라서 sheet-off 후 over etch로 인해 contact 저항이 커져 누설전류가 흐른다고 판단하였는데요, 이 과정에서 오류가 있는지 궁금합니다.

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2021.08.28

답변 3
m
masteric
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일치

contact에서 body로 빠지는 커런트가 대부분이면 그게 주요원인이지만 보통 leakeage의 원인은 여러가지가 복합적으로 일어나는 경우가 많습니다.
맞는 추론입니다만, 그게 주요원인 이 맞는지 여부는 check해봐야합니다,

2021.08.30

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l
lIIIIl
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일치

Off current 종류에도 여러 가지가 있습니다
의심중인 Contact over etch가 원인이라면 Contact 에서 body로 빠지는 leakeage 가 어느 정도인지 측정 해보시기 바랍니다

2021.08.29

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공
공정설계현직3
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일치

음... 이론상 가능은 할 것 같습니다
하지만 평소보다 Over Etch 되는 정도가 엄청 심하지 않은 이상 누설 전류가 심하게 발생하긴 힘들 것 같습니다.
개인적으로 다른 요인으로 추정되네여

2021.08.29

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