취업 · 삼성전자 / 회로설계

Q. 공진회로에서 인덕터 반응

안녕하세요. 예전에 전자도난경보기 제작 프로젝트 과정 중 10khz 공진회로를 설계했을 때 R, L, C를 직접 구입하여 제작하였는데 인덕터에 아무리 물체를 가까이하여도 유도전류으로 인한 저항의 신호감쇄가 없었습니다.

이를 해결한 방법은
인덕터가 너무 작아 반응이 안일어나는 것을 원인으로 생각하여 100m 구리선을 구입하여 음료수캔에 직접 감아 인덕터를 제작하여 큰 반응이 일어날 수 있도록 유도하였는데요. 왜 구입했던 작은 인덕터에서는 반응이 안일어났는지 예상원인을 알 수 있을까요???


또한, 저희는 인덕터의 반응을 높이기 위하여 인덕턴스 식을 기반으로 면적은 넓게 길이는 짧게 인덕터를 제작하였는데 ..... 인덕턴스를 높이기위한게 아니라 인덕터 반응을 높이기위하여 이렇게 제작했다그러면은 논리적인 오류가 있는걸까요?

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인기 사례
Q. 삼전, 하닉 직무 관련 질문입니다.
안녕하세요, 2월 졸업 예정자인 학부생입니다. 삼전, 하이닉스 직무 선정에 있어 도움을 받고 싶습니다. 제 스펙은 건동홍 / 전기전자과 / 전체학점 4.04 / 전공학점 4.27 / 차세대 소자 연구실 학연생 6개월 / 공정실습 1회 / 성대 회로설계 교육 3개월 (현재 듣는 중) Verilog로 FeFET 소자 모델링 (학연생) 삼성디스플레이 발광 회로 소비 전력 절감 프로젝트 (졸업 프로젝트) Opamp 설계 프로젝트 (심화 전공) etch 공정 모델링 프로젝트 (공정 실습) 현재 회로설계 교육 들으며 design rule에 맞춰 inverter layout 설계 comparator, opamp 설계 풀커스텀 디지털 회로 설계 등의 활동을 할 것 같습니다. 직무는 삼성전자 파운드리 회로설계 / 메모리 회로설계 중에서 고민중이고, 하이닉스는 양산기술 / 설계 / PE 중에서 고민중입니다. 설계쪽으로 가기에는 제 스펙이 너무 부족한 것 같아 질문드립니다. 감사합니다.

Q. 하드웨어 설계가 하고 싶다면 어떤식으로 준비해야할까요
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Q. 비휘발성 메모리 설계 연구에 대한 조언 요청
안녕하세요. 비휘발성 기반 메모리 설계를 연구 중인 대학원생입니다. 연구 중 궁금한 점이 생겨, 산업 현장에서 실제로 어떤 관점에서 접근하시는지 조언을 구하고 싶습니다. 1.RRAM 메모리의 현황과 전망 -온칩 메모리 컴파일러로 DFF나 SRAM은 자주 제공되지만, DRAM이나 비휘발성 메모리가 드문 이유는 어떤 배경 때문인지 궁금합니다. -비휘발성 메모리 설계 시, SRAM이나 DFF와 비교해 특별히 신경 써야 할 점이 있다면 어떤 부분을 주로 고려해야 하나요? 2.메모리 설계 관련 -속도, 에너지 효율, 면적 외에, 산업적으로 더 중요한 성능 평가 기준이 있다면 알려주시면 감사하겠습니다. 3. 비휘발성 메모리 컴파일러 개발 -RRAM 매크로를 설계하고, TOP Controller와 함께 IC 컴파일러로 통합해 확장된 메모리의 최종 레이아웃를 제공하려 합니다. 이런 접근 방식이 적절할까요? 바쁘시겠지만, 간단한 답변이라도 주시면 큰 도움이 될 것 같습니다. 감사합니다!