Q. 삼성전자 반도체 연구소 공정설계 직무
RRAM 크로스바 어레이 수율 개선 경험이 있는데, 이를 토대로 앞으로는 폰노이만 구조에서 탈피해서 비 폰노이만 구조로 가야하기 때문에 인메모리 컴퓨팅 개발이 필요할 거고, 그런 시점에서 재료과인 제가 할 수 있는건 차세대 메모리 중에서도 멤리스터에 해당하는 FTJ, PRAM, FeRAM과 같은 애들의 성능 및 수율 개선이라 생각한다고 지원동기에 쓰려고 합니다. . RRAM은 하지 않고 있다고 들어서 이렇게 작성하려고 하는데, 이와 같은 차세대 메모리들을 반연에서 다루는 것이 맞는지 궁금합니다
또 MRAM을 크로스바 어레이로 쓰는 논문을 삼성에서 낸 걸로 알고있는데, MRAM은 파운드리에서 하고 있는 것으로 알고있습니다..! 그렇지만 이런 부분을 보면 뉴로모픽이나 인메모리 컴퓨팅 분야에 반연도 충분한 관심이 있는 것으로 생각이 되는데, 인메모리 컴퓨팅 개발 쪽으로 필요하다고 적어도 괜찮은 접근일지 의견이 궁금합니다.
Q. 나노종합기술원 교육 내용과 삼성전자 공정설계 직무의 연관성
안녕하세요!
현재 4학년 화학공학과 재직중인 학생입니다.
삼성전자 공정설계 직무에 지원하고 싶은데
제가 반도체로 진로를 늦게 바꾸게 되어 관련 경험이 없습니다. ㅜㅜ
그래서 이번에 열리는 2024 나노종합기술원 종합실무에 지원하고 싶은데
혹시 이 교육 내용 중 현장에서 쓰이는 장비나 중요하게 다뤄지는 공정이 있는지
알 수 있을까요??
[Photo]
- ArF Scanner, KrF Scanner(ASML, Nikon), I-Line Stepper(Nikon), Aligner(EVG)
[Etch]
- Dielectric Dry Etcher(TEL, LAM), Metal Dry Etcher(AMAT,LAM), Poly Si Etch(LAM), PR strip(PSK)
[Diffusion]
- PYRO(centrotherm), LP-CVD(centrotherm), Implantation(AMAT), Cleaning(HIT), CMP(Doosan)
[Thin Film]
- PE-CVD(AMAT, TES), Sputter(AMAT), Evaporator(KVT), ALD(CN1)
[구조, 성분 분석]
- SEM(HITACHI), TEM(FEI), FIB(Gatan, HITACHI, RAMAN(WEVE), SIMS(CAMECA)
Q. 삼성전자 메모리사업부 공정설계 직무에 대해 여쭤봅니다.
안녕하세요
삼성전자 메모리사업부 공정설계 직무로 가고 싶은 취린이입니다.
유튜브 등을 보면서 제가 직무에 대해 이해한 게 맞는지 여쭤보고 싶어서 글을 올리게 되었습니다.
1. 공정설계 중 공정 프로세스 설계는 칩을 만드는데 있어 많은 공정들의 순서를 배치하고 조율하여 최적화하고 각 공정의 target과 spec을 정하여 공정기술에 넘겨주는 일 맞나요? 즉, 공정설계는 공정들의 순서를 바꾸며 최적화하는 것이고, 공정기술은 담당한 공정에서 온도, 압력 등 파라미터를 바꾸며 양산 수율을 높이는 것 맞을까요??
2.소자 개발은 제품에 들어가는 transistor의 oxide 두께나 gate length 등 규격을 조정하여 최적의 성능을 내도록 소자 특성을 연구하는 것 맞을까요?
3. LA가 제일 헷갈린데 회로설계에서 만든 레이아웃을 design rule 등에 맞게 다시 튜닝한다고 보면 될까요??
감사합니다