Q. 반도체 공정 관련 질문 있습니다!
안녕하세요! 반도체 공정 관련하여 질문이 있어 글 남기게 되었습니다.
제가 저번에 공정 실습을 통해 PR제거 공정을 직접 보았고, 당시 패터닝 후 잔류pr을 제거하는 과정에서
패터닝 된 회로가 지워지지 않을까? 하는 의문을 가졌었습니다. 당시 실무자분께서, 플라즈마의 양을 어떻게 조절하냐에 따라 지워지는 pr의 양, 과한 경우 웨이퍼 손상까지 올 수 있다고 답변 주셨습니다.
1 이 과정에서 패터닝 후 잔류 pr을 지우는 과정이 식각 전에 지우는 것이 맞나요? 식각은 산화막을 지우는 공정으로 현재 알고 있는데 혹시 pr도 식각에서 지워지는 것인가요?
2 또한, 잔류 pr이라는 것이 회로를 그리는 데 노광을 하였지만, 지워지지 않았던 부분, 모서리 부분 이런 곳이 맞나요?
3 마지막으로, 플라즈마를 이용한 제거 과정이면 등방성으로 식각되기에 원하는 잔류 PR부분에만 플라즈마를 흘려주는 것이 가능한 지 궁금합니다!
제가 찾은 정보가 정확한지 궁금하여 질문이 많아졌습니다. 죄송합니다ㅠㅠ! 답변 부탁드립니다!