Q. FinFET 로직노드 기준?
안녕하세요 현재 학부연구생으로 TCAD를 배우고 있는 학부생입니다.
다름이 아니라 로직노드를 기준으로 몇나노를 정할 때, 일반적인 Planar MOSFET은 Gate Length를 기준으로 하는 반면, FinFET에서는 Fin Width로 하는 것 같습니다.
질문 사항은 다음과 같습니다.
1. 왜 FinFET은 Gate Length가 아니라 Fin Width를 기준으로 하는지?
2. GAA 구조에서는 그럼 Nanosheet의 Width로 하는지 아니면 Gate Length로 잡는지?
Q. DRAM design rule의미
현업에서 DRAM design rule이 어떤 의미를 가지는지 궁금합니다. 가령, 10nm DRAM이라면 gate length가 실제로 그정도 사이즈라는 건가요 아니면 세대를 나타내기 위한 수단인가요..?? 혹은 또 다른 물리적 의미를 가지는 사이즈인가요?
Q. 대만 마이크론
안녕하세요
몇몇 특정 대학교에서 실시한 대만 마이크론 채용에서 정말 특이하게 원데이 면접 보고 바로 채용을 진행했습니다.
저도 하반기 취업이 잘 안되어 경험삼아 면접 봐서 붙었는데, 대만에서 딱히 살 생각도 없고 스펙도 모자라지 않는데 (삼,하,외국계 등 반도체 대기업 서류는 다 붙었습니다) 어차피 한국으로 다시 이직해서 살거면 대만에서까지 경험을 쌓는 것이 메리트가 있는지 모르겠습니다.
채용 인원은 70명? 정도 된거같으며 적진 않습니다.
대부분의 지원자들이 대만에서 경험 쌓고 중고신입으로 국내 반도체 기업 입사를 원하던데 쉽게 퇴사하고 국내로 돌아올 수 있을지도 미지수 입니다.
하지만 제가 고민이 되는 것은 마이크론이라는 이름값이 무시할 수 없기 때문입니다.
선배님들의 고견 부탁드립니다.