Q. 안녕하십니까 삼성전자 파공설 준비중이며 4-2 재학중입니다.
일단 제 스펙은 24 여
인서울 중하위권 전자공학부
학점 3.7
어학 오픽 AL
자격증 빅데이터분식실무 2급, 파이썬 활용능력2급, 인공지능 활용능력 2급.
학부연구생 2년 ( 홈페이지 관리 및 반도체 소자 data 분석)
파이썬 관련 수상 1회, 반도체 소자 spec 관련 설계 팀 프로젝트 2회.
반도체 공정 실습 1회 입니다.
제 스펙이 어떠한지 뭐가 더 필요한지 평가해주시면 감사하겠습니다.
또한 사정상 한학기 추가학기를 진행하여야 하는데 이가 큰 문제가 되는지도 여쭈고 싶습니다.
감사합니다.
Q. 제조 & 기술 공정설계 스펙관련 질문입니다.
학교 : 건동홍
학부 : 전기전자
학점 : 3.6/4.5
교육 : SK 하이닉스 하이포, 코멘토 공정설계 교육 2회, 한국장학재단 멘토링, IDEC 강의 4회 수강
프로젝트 : 데이터분석, TCAD simulation 소자 개발
인턴 : 벤치기업 연구소 전자기기 설계 (반도체 관련 x) 2달
공모전 : x
제조 & 기술 뿐만 아니라 다른 공정설계 직무를 희망합니다.
제 생각에는 학점이랑 공정 실습의 경험, 공모전 경험이 없어 스펙으로는 모자란것 같습니다.
그리고 반도체 인턴이 아니라 기기 설계 쪽 인턴인데 설계 경험을 잘 엮어서 이야기를 풀고 싶은데 면접관님들 입장에서 어떻게 들릴지 모르겠네요...
냉정한 조언 좀 부탁드리겠습니다.
Q. 반도체 Contact 구조
안녕하세요. CMOS 구조의 Contact 관련 질문드립니다.
데이터 분석 교육에서 Contact 형성 시, Etch 이후 Cleaning을 하면서 HF에 의해 인접한 ILD가 over etch 되어 CD가 증가한다는 내용의 프로젝트를 진행했습니다.
Contact CD가 증가하면 leakage가 왜 발생하게 되는지 원리를 알고 싶습니다.
감사합니다.