Q. 신소재 석사 졸업했는데 삼성전자 공정기술에 CVD로 지원했습니다.
제 연구내용이 열전소재였고 격자열전도도와 캐리어 농도를 모델로 분석하는 내용이 주류였는데,
CVD에서 DEFECT 문제나 불순물의 이슈를 해결하기 위해 이상적인 박막과 불순물이 포함된 박막을 격자열전도, 캐리어 농도의 분석 모델을 사용하여 차이점을 확인해, 박막 공정 단위수율을 개선하겠다는 어필을 할 예정인데, 현직자분들이 읽으시기엔 어느 정도 수긍이 가시는지요?
제 연구내용이 열전소재였고 격자열전도도와 캐리어 농도를 모델로 분석하는 내용이 주류였는데,
CVD에서 DEFECT 문제나 불순물의 이슈를 해결하기 위해 이상적인 박막과 불순물이 포함된 박막을 격자열전도, 캐리어 농도의 분석 모델을 사용하여 차이점을 확인해, 박막 공정 단위수율을 개선하겠다는 어필을 할 예정인데, 현직자분들이 읽으시기엔 어느 정도 수긍이 가시는지요?