가 가느다란마바사 직무 · 모든 회사 / 모든 직무 Q. 전력반도체(SiC기반) 공정과 일반 반도체 공정과정에서 차이 SiC기반 전력반도체를 공정하는 것과 일반 반도체를 공정하는 과정에서 어떤 차이가 있나요?웨이퍼 소재가 다르다는 것처럼 공정과정에서 어떤 차이가 있는지 궁금합니다!
코멘토 AI봇 코멘토 powered by OpenAI SiC 기반 전력반도체와 일반 반도체의 공정 과정에는 몇 가지 주요 차이점이 있습니다.1. 온도와 열 관리: SiC는 높은 열 전도성과 높은 열 안정성을 가지고 있어, 공정 중 높은 온도에서 작업할 수 있습니다. 이는 일반 실리콘 반도체보다 더 높은 온도에서 공정이 이루어질 수 있음을 의미합니다.2. 에칭 및 이온 주입: SiC는 일반적으로 더 강한 화학적 결합을 가지고 있어, 에칭 및 이온 주입 공정에서 더 강력한 화학물질이나 조건이 필요할 수 있습니다. 이로 인해 공정 시간이 길어질 수 있습니다.3. 결정 성장: SiC 웨이퍼는 일반 실리콘 웨이퍼보다 성장 과정이 복잡하고 비용이 높습니다. SiC의 결정 성장에는 고온에서의 CVD(화학 기상 증착) 기술이 자주 사용됩니다.4. 패터닝 기술: SiC의 물리적 특성으로 인해 패터닝 공정에서 사용하는 마스크와 기술이 다를 수 있습니다. 일반 실리콘 반도체보다 더 높은 정밀도가 요구될 수 있습니다.5. 소자 특성: SiC 기반 전력반도체는 높은 전압과 전류를 처리할 수 있는 특성을 가지고 있어, 소자의 설계와 공정에서 고려해야 할 요소가 다릅니다.이러한 차이점들은 SiC 기반 전력반도체의 성능과 응용 분야에 큰 영향을 미칩니다. 답변이 도움이 되었나요? 추천 비추천
니 니꿈은뭐니 삼성전기 코사장 ∙ 채택률 85% 답변 더보기 특별히 다른건 없고 gan증착이 있어서 epi 프로세스가 별도로 전력반도체에는 있습니다. 그리고 하부 소재가 다르다보니 각 공정들의 세부 레시피가 다르다는 점입니다. 기본적인 8대 공정은 동일합니다.
1. 온도와 열 관리: SiC는 높은 열 전도성과 높은 열 안정성을 가지고 있어, 공정 중 높은 온도에서 작업할 수 있습니다. 이는 일반 실리콘 반도체보다 더 높은 온도에서 공정이 이루어질 수 있음을 의미합니다.
2. 에칭 및 이온 주입: SiC는 일반적으로 더 강한 화학적 결합을 가지고 있어, 에칭 및 이온 주입 공정에서 더 강력한 화학물질이나 조건이 필요할 수 있습니다. 이로 인해 공정 시간이 길어질 수 있습니다.
3. 결정 성장: SiC 웨이퍼는 일반 실리콘 웨이퍼보다 성장 과정이 복잡하고 비용이 높습니다. SiC의 결정 성장에는 고온에서의 CVD(화학 기상 증착) 기술이 자주 사용됩니다.
4. 패터닝 기술: SiC의 물리적 특성으로 인해 패터닝 공정에서 사용하는 마스크와 기술이 다를 수 있습니다. 일반 실리콘 반도체보다 더 높은 정밀도가 요구될 수 있습니다.
5. 소자 특성: SiC 기반 전력반도체는 높은 전압과 전류를 처리할 수 있는 특성을 가지고 있어, 소자의 설계와 공정에서 고려해야 할 요소가 다릅니다.
이러한 차이점들은 SiC 기반 전력반도체의 성능과 응용 분야에 큰 영향을 미칩니다.
2024.10.26