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Q. 전력반도체(SiC기반) 공정과 일반 반도체 공정과정에서 차이

SiC기반 전력반도체를 공정하는 것과 일반 반도체를 공정하는 과정에서 어떤 차이가 있나요?
웨이퍼 소재가 다르다는 것처럼 공정과정에서 어떤 차이가 있는지 궁금합니다!

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SiC 기반 전력반도체와 일반 반도체의 공정 과정에는 몇 가지 주요 차이점이 있습니다.

1. 온도와 열 관리: SiC는 높은 열 전도성과 높은 열 안정성을 가지고 있어, 공정 중 높은 온도에서 작업할 수 있습니다. 이는 일반 실리콘 반도체보다 더 높은 온도에서 공정이 이루어질 수 있음을 의미합니다.

2. 에칭 및 이온 주입: SiC는 일반적으로 더 강한 화학적 결합을 가지고 있어, 에칭 및 이온 주입 공정에서 더 강력한 화학물질이나 조건이 필요할 수 있습니다. 이로 인해 공정 시간이 길어질 수 있습니다.

3. 결정 성장: SiC 웨이퍼는 일반 실리콘 웨이퍼보다 성장 과정이 복잡하고 비용이 높습니다. SiC의 결정 성장에는 고온에서의 CVD(화학 기상 증착) 기술이 자주 사용됩니다.

4. 패터닝 기술: SiC의 물리적 특성으로 인해 패터닝 공정에서 사용하는 마스크와 기술이 다를 수 있습니다. 일반 실리콘 반도체보다 더 높은 정밀도가 요구될 수 있습니다.

5. 소자 특성: SiC 기반 전력반도체는 높은 전압과 전류를 처리할 수 있는 특성을 가지고 있어, 소자의 설계와 공정에서 고려해야 할 요소가 다릅니다.

이러한 차이점들은 SiC 기반 전력반도체의 성능과 응용 분야에 큰 영향을 미칩니다.

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니꿈은뭐니
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특별히 다른건 없고 gan증착이 있어서 epi 프로세스가 별도로 전력반도체에는 있습니다. 그리고 하부 소재가 다르다보니 각 공정들의 세부 레시피가 다르다는 점입니다. 기본적인 8대 공정은 동일합니다.


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