Q. pattern 축소 원인이 궁금합니다.
실습 참여해서 MOSCAP 소자를 만들었습니다.
Sub에 Al2O3 증착하고 Photo 공정 후 Al 증착하고 lift off를 통해서 패턴을 만들었는데요
실제 target 패턴 size 본다 10~20% 작은 패턴이 만들어졌습니다.
공정상에 어떤 이유로 패턴 사이즉가 감소했을까여?
참고로 Postive PR 사용하고 증착은 sputter, PR과 Al 두께 차이는 14배 정도 차이가 있었습니다.
실습 참여해서 MOSCAP 소자를 만들었습니다.
Sub에 Al2O3 증착하고 Photo 공정 후 Al 증착하고 lift off를 통해서 패턴을 만들었는데요
실제 target 패턴 size 본다 10~20% 작은 패턴이 만들어졌습니다.
공정상에 어떤 이유로 패턴 사이즉가 감소했을까여?
참고로 Postive PR 사용하고 증착은 sputter, PR과 Al 두께 차이는 14배 정도 차이가 있었습니다.