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Q. pattern 축소 원인이 궁금합니다.

실습 참여해서 MOSCAP 소자를 만들었습니다.
Sub에 Al2O3 증착하고 Photo 공정 후 Al 증착하고 lift off를 통해서 패턴을 만들었는데요
실제 target 패턴 size 본다 10~20% 작은 패턴이 만들어졌습니다.
공정상에 어떤 이유로 패턴 사이즉가 감소했을까여?

참고로 Postive PR 사용하고 증착은 sputter, PR과 Al 두께 차이는 14배 정도 차이가 있었습니다.

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2024.11.22

답변 1
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패턴 축소의 원인은 여러 가지 요인에 기인할 수 있습니다. 첫째, 포토레지스트(Positive PR)의 해상도와 관련된 문제로, PR의 두께가 너무 두껍거나, 노광 공정에서의 빛의 확산이 발생할 수 있습니다. 둘째, 스퍼터링 공정에서의 물질의 이동 및 응집 현상으로 인해 패턴의 크기가 줄어들 수 있습니다. 셋째, 리프트 오프 과정에서 PR과 금속층 간의 접착력 차이로 인해 일부 금속이 제거되지 않고 남아 패턴이 축소될 수 있습니다. 마지막으로, PR과 알루미늄의 두께 차이가 크기 때문에, 금속 증착 시 PR의 변형이나 수축이 발생할 수 있습니다. 이러한 요인들이 복합적으로 작용하여 패턴 사이즈가 감소했을 가능성이 있습니다.

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2024.11.22

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