네, 광시간이 다르면 sem 장비로 웨이퍼 표면의 패턴이 다르게 나타납니다. 광시간이 더 길면 분해능이 더 높아져 광학 관찰로 볼 때 표면의 각 소자가 더 뚜렷하게 보일 수 있고, 광시간이 더 짧으면 분해능이 낮아져 광학 관찰로 볼 때 표면의 각 소자가 더 흐려질 수 있습니다.

안녕하세요 멘티님!

멘티님의 질문은 대외비에 해당하므로 알려드릴 수 없는 점 양해부탁드립니다.

노광시간에 따라서 PR의 CD가 다르게 측정이 될겁니다

Posi pr일 경우에는 cd값이 줄어들것이고.
Nega pr일 경우에는 cd값이 늘어날것입니다.

안녕하세요, 노광시간이 길어지면, PR물성이 변화해서 DEV 나 PEV를 진행하고 etch를 하고나서 정확한 pattern이 생성되지 않을 수 있습니다. EUV노광 같은 경우는 파장이 짧은 13.5nm 대역을 사용하는데 에너지가 꽤 크므로 정확한 레이저빔이 쏴지지 않거나 하면 패턴에 영향을 줄 수 있습니다.