Q. 삼성전자 공정기술 엔지니어분들께 질문드립니다!
안녕하세요 삼성전자 면접 앞두고 있는 공정기술 직무 지원자입니다.
입사 후 포부에 대해 답변을 준비하고 있는데, 궁금한 점이 생겨 질문드립니다 !
1. 메모리사업부에서 'LPDDR5X', '9세대 V낸드' 등 차세대 고부가 제품의 양산도 맡나요?
2. 차세대 V낸드 제조에 사용되는 '채널 홀 에칭'과 같은 신기술은 공정의 난이도가 높아보이는데, 만약 제가 입사 후 경력이 쌓인다면 이런 기술도 다룰 수 있는 걸까요?
제 주변에 현직자가 없어서 코멘토에 계신 선배님들께 여쭤보게 되었습니다.
답변해주신다면 정말 감사드리겠습니다 !!!
Q. HBM의 생산에서 TSV의 기술중 WET ETCH가 사용되는지 궁금합니다!
HBM에서 중요한것은 BONDING기술인것은 저도 잘 알고 있습니다.
그런데 공부하다가 우연히 생각한것인데 chip을 Align을 한여 bonding을 한다음 deep-RIE방식같은 방법을 통해서 한번에 TSV를 형성하면 BGA를 사용할 필요도 없어지고 최종적으로 CU와 CU를 바로 연결하려는 Hybridbonding보다도 접촉을 할 필요없이 쭉 채워버리면 되니 접촉부의 저항을 고려하지 않아도 되는 등의 아이디어가 생각이 났습니다.
해당과정에 대해서 의문이 생겨 교수님께 질문을 하여도 HBM의 TSV에 대해서는 잘 알지 못하셔서 현직자 선배님들의 의견을 여쭙고싶어 질문드렸습니다. 비슷한 질문을 어떤 드렸을때 TSV에서 배선의?? ETCH는 WET TYPE이라 Volatile하지 않아 어렵다?? 라는 말을 들었는데 TSV는 BOSCH 프로세스를 기반으로 VOLATILE한것으로 알고 있는데.. 이해가 잘 되지 않았습니다. 만약 배선층을 뚫기 어렵다면 배선라인 옆에 엘리베이터처럼 TSV를 한번에 뚫어버리면 괜찮은 아이디어가 아닐까 생각하였는데 공정에 대한 이해가 부족한 부분을 부탁드립니다 ㅜㅜ!