RIE 장비로 에칭 공정을 할 때 발생할 수 있는 이슈는 여러 가지가 있습니다. 이러한 이슈를 해결하기 위해서는 다음과 같은 파라미터를 변경하면 됩니다.

- 소멸 방식: 소멸 방식을 적절하게 조절하여 불필요한 에칭 시간을 줄일 수 있습니다.

- 방전 전류: 방전 전류를 적절하게 조절하여 에칭 이상을 줄일 수 있습니다.

- 방전 시간: 방전 시간을 적절하게 조절하여 에칭 이상을 줄일 수 있습니다.

- 방전 온도: 방전 온도를 적절하게 조절하여 에칭 이상을 줄일 수 있습니다.

- 에칭 공기 압력: 에칭 공기 압력을 적절하게 조절하여 에칭 이상을 줄일 수 있습니다.

안녕하세요 멘티님!

죄송하지만 멘티님의 질문에 대한 답변은 대외비이므로 알려드릴 수 없습니다.

보통 등방이나 이방 을 한번에 바꾸지는 않고 온도나 다양한 파라미터 변경인데,, 대외비입니다

안녕하세요
공정에 대한 설비에 대한 고질병이나 이런 해결책이런 언급은 현업에서도 고민하고 문제가 되는 부분이라고 대외비라고 보시면 됩니다

안녕하세요
반도체 취업 멘토 털보아저씨입니다.

1. ICP의 경우 자기장 방향으로 플라즈마 형성되는데 Uniformity가 좋지 못합니다.
2. 구체적으로 어떤 변수를 변경하는지 상황에 따라 너무 다릅니다...
보통 온도, 압력, Bias, 플라즈마의 Source Power, Gas 조성비, Etch 시간 등이 있습니다.