대학생활 · 삼성전자 / 공정설계
Q. 포토공정에서 불충분한 develop 해결방안이 궁금합니다.
포토 과정에서 불충분한 develop이 발생했는데요.
디벨롭 타임을 증가시키거나 노광량을 증가시키는 방법이 일반적인건 알지만, PR 두께가 너무 두꺼워서 생긴 문제라고 생각하고 spin coating시 spin rate를 증가시킴으로 PR두께를 얇게 하여 이 문제를 해결할 수도 있을까요?
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인기 사례
Q. FinFET 로직노드 기준?
안녕하세요 현재 학부연구생으로 TCAD를 배우고 있는 학부생입니다.
다름이 아니라 로직노드를 기준으로 몇나노를 정할 때, 일반적인 Planar MOSFET은 Gate Length를 기준으로 하는 반면, FinFET에서는 Fin Width로 하는 것 같습니다.
질문 사항은 다음과 같습니다.
1. 왜 FinFET은 Gate Length가 아니라 Fin Width를 기준으로 하는지?
2. GAA 구조에서는 그럼 Nanosheet의 Width로 하는지 아니면 Gate Length로 잡는지?
Q. 삼성전자 GSAT 관련 질문이 있습니다!
안녕하세요 선배님들.. 이번 삼성전자 DS 공정설계 쪽으로 지원할 예정인 졸업예정자입니다!
올해 면접까지는 꼭 보는게 저의 목표입니다.. 하지만 GSAT 모의성적이 원하는 만큼 잘 나오지 않습니다..
해커스 하양이를 인터넷으로 모의GSAT를 풀어보면 수리는 평균적으로 14/15, 추리는 21/22 정도로 꾸준히 하나씩은 틀리고 원하는 만큼 푸는데에 속도가 붙지를 않습니다. 실제 GSAT와 비교했을때 이정도면 합격은 많이 힘든지 현실적으로 궁금합니다.
Q. 공정설계 직무 강의를 수강 중인데 Split 평가가 정확히 무엇일까요??
저수율 웨이퍼의 불량 원인을 찾고 Split 평가를 한다는데 여기서 Split 평가가 무엇인지 모르겠습니다..ㅜ
미리 감사드리겠습니다!