Q. 현스펙 피드백해주시면 감사하겠습니다.
곧 4학년에 올라갈 예정인 학생입니다.
반도체 분야로 준비 중이고, 대기업 공정기술 직무를 희망하고 있습니다.
약 1년이라는 취준 기간을 어떠한 부분을 채워나가며 보내면 좋을지 조언을 얻고싶어서 질문남깁니다.
현 스펙은 다음과 같습니다.
- 지방거정국립대학 나노공학과 3.6/4.5 (예정)
- 오픽IH
- 반도체 공정 실습 2회
- 식각공정관련 학부연구생
- Sk Hy-Po 국비 반도체 이론 교육 프로그램 수료
- 교내 외국인 교환학생 멘토링 프로그램 3학기 진행
- 대기업 교육봉사 경험 2회
- 외국 현지 문제를 공학적으로 해결하는 캡스톤 디자인
- 미래 모빌리티 캡스톤 디자인(수상0)
- 기타 교내 공모전 등의 활동
Q. 낸드 셀에서의 문턱전압 분석
최근에 TCAD를 활용한 낸드 셀 설계 프로젝트를 진행한 적이 있습니다.
그 과정에서 현업 엔지니어분들의 관점이나 접근법이 궁금합니다.
예시로 이런 흐름이었습니다.
제가 발표 시, TCAD 스플릿 결과를 바탕으로
상이한 전압조건에서 프로그램/읽기 과정에서 속도나 안정적으로 트랩된 전자의 양 등의 자료를 통해
13V가 16V에 비해 비교적 낮은 전압에서도 안정적으로 작동하지만, 문턱전압의 shift는 다소 떨어졌음을 확인했습니다.
따라서 분석 시에 메모리 셀의 요구조건에 따라 다를 수 있지만, 저전력 특성을 요구하는 제품에서는
다소 문턱전압 shift가 떨어지더라도 충분히 13v의 프로그램 전압조건에서 작동하는 A라는 메모리가 더욱 효과적이다 라는 문맥으로 발표하였습니다.
조교분께서는 너무 로직소자의 관점에서 생각한 것이 아닌가?
메모리에서 문턱전압 shift가 비교적 덜 관찰됐음에도 괜찮다고 판단이 가능한가?
라고 질문주셨는데 혼자 곰곰히 생각해봐도 답을 정확히 모르겠습니다
Q. 삼성 장기현장실습 지원관련
이번에 공정설계로 지원할려고합니다.
반도체연구소에서 DRAM공정개발팀, Foundry공정개발팀의 차이가 뭔지 궁금합니다.
물론 기본적으로 만드는 제품의 차이가 있겠지만
일부는 공정상 겹치거나 (ex. 8대 공정중 patterning이라던지) 비슷한 부분이 있을거 같은데
단순히 최종적으로 만드는 제품의 차이로 봐도될까요?
또 DRAM공정개발팀은 dram에 대해서 어느정도 알아야되는지
Foundry공정개발팀은 비메모리에 대해서 어느정도 알아야되는지 궁금합니다.
읽어주셔서 감사합니다.