자소서 · 삼성전자 / 공정설계

Q. Wet Etch와 Dry Etch후 Critical dimension 측정을했는데 궁금한게있습니다

Gate Oxide만들기 위해 oxide위에 PR마스크를 덮고,
2개의 웨이퍼로 각 dry wet 에치를했는데.
원래 Target 100um를 목표로 패터닝하고
Etch하기전 ADI CD를 하였을때 ​dry (97.67) wet (98.07)
​Etch한후 ACI CD 측정후 dry(98.61) Wet (98.2) 결과값이 나왔는데

제가알기로는 Dry Etch를 하면 선택비가 좋지않아서 PR까지 깎고 그아래 Oxide까지 깎는걸로알고있는데
그렇게돼서 CD가 늘어난걸까요?
wet etch의 경우 CD가 증가된값이 나왔는데 , 원래대로라면 isotropic이여서
더줄어들어야하는거아닌가요?