취업 · 삼성전자 / 공정설계
Q. Bar CD란
CD에 대해서 헷갈려서 질문 드립니다.
line CD, space CD, Bar CD, 패턴 CD가 있던데..
PR하부의 식각되지 않은 부분의 너비= lineCD
식각된 부분의 너비= space CD, Bar CD, 패턴 CD
이라고 보면 되나요??
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인기 사례
Q. 삼성전자 사업부 선택이 고민됩니다.
25년 2월 졸업 예정인 석사과정 학생입니다.
TCAD 시뮬레이션을 통한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 동작 특성을 위주로 연구를 진행하였습니다.
현재 고민이 메모리 사업부 공정설계와 파운드리 사업부 공정설계 중 어느 곳으로 서류를 넣어야 하는지 입니다. (css 사업부가 비교적 적합도가 높다고 생각하지만 희망하는 것은 메모리 사업부나 파운드리 사업부 입니다.)
원하는 직무는 메모리 사업부 공정설계입니다. 하지만 제가 메모리 관련 과제 및 연구를 진행한 적이 없어 고민이 됩니다.
추가적으로, TCAD로 공정을 시뮬레이션 진행한 것이 아니라 소자 구조를 변경시켜 i-v transfer, 항복전압, 주파수 특성을 연구하여 이 부분을 공정 설계 직무와 핏하게 맞아 떨어지지 않는 것 같아 이 부분 또한 고민입니다.
석사기간 중 수행한 연구는 TCAD를 통하여 소자 구조의 동작 특성을 연구하였으니 이에 따른 device physics를 바탕으로 밀고 나가면 될까요?
Q. 안녕하십니까 삼성전자 파공설 준비중이며 4-2 재학중입니다.
일단 제 스펙은 24 여
인서울 중하위권 전자공학부
학점 3.7
어학 오픽 AL
자격증 빅데이터분식실무 2급, 파이썬 활용능력2급, 인공지능 활용능력 2급.
학부연구생 2년 ( 홈페이지 관리 및 반도체 소자 data 분석)
파이썬 관련 수상 1회, 반도체 소자 spec 관련 설계 팀 프로젝트 2회.
반도체 공정 실습 1회 입니다.
제 스펙이 어떠한지 뭐가 더 필요한지 평가해주시면 감사하겠습니다.
또한 사정상 한학기 추가학기를 진행하여야 하는데 이가 큰 문제가 되는지도 여쭈고 싶습니다.
감사합니다.
Q. 삼성전자 파운드리사업부 공정설계 자소서 4번
어떤 경험을 자소서 4번에 쓰는게 적합할 지 궁금합니다.
1.comento 실무pt - 데이터 분석을 통한 저수율 chip 수율 개선
2.학부연구생 -TFT, NAND,NOR,Ring Oscillator photomask 설계
3.Silvaco 사의 TCAD tool을 이용하여 short channel MOSFET 설계 -> 누설 전류 많이 발생 -> Nano Thin Body Transistor 구조로 다시 설계하여 누설전류 감소
4.SPTA 공정 실습