Q. 파운더리VS 메모리
안녕하세요.
현재 전자공학과 4학년 다니고 있는 학생입니다.
저는 현재 반도체 공정쪽을 취업 목표로 하고 있습니다. 제가 오픽이 AL이라 파운더리쪽에 취업하는 것이 제가 더 메리트가 있다고 생각해서 파운더리 공정설계 엔지니어로 취업 목표를 설정했습니다. 하지만, 최근 지어졌던 v3 공장도 메모리 생산하는데 쓰이는 등 최근 삼성 파운더리쪽 상황이 그렇게 좋지 않은 것으로 알고 있습니다. 반면에 메모리쪽은 HBM으로 인해 호황인 것으로 알고 있습니다. 그래서 파운더리 쪽 신입 채용을 별로 하지 않을 것을 걱정하고 있어 메모리쪽으로 진로를 바꿔야 되나 고민입니다.
Q. DRAM 질문
안녕하십니까, DRAM 관해 궁금한 사항이 있어서 질문 올립니다.
DRAM은 휘발성 메모리로 refresh 동작이 필요한 것으로 알고 있습니다.
refresh는 전력을 소모하고, refresh 중 상태 값 변동으로 인해 메모리 성능에 영향을 주는 문제도 있습니다.
그렇기에 refresh 간격이 길수록 좋다고 알고 있습니다.
그렇다면 구조 등 변화를 통해서 (현재 1T0C 혹은 2T0C 등 다양한 구조가 있는 것으로 알고 있습니다.) DRAM을 비휘발성 메모리로 설계한다면 장단점이 있는지 궁금합니다. 또한 그 이유에 대해서도 알고 싶습니다.
감사합니다.
Q. 공정기술 공정설계, fab에 얼마나 들어가나요?
평분은 라인에 들어가는 일 없는 것으로 알고,
설비를 제외하고 공설, 평분, 공기중에서
공기는 라인에 자주 들어간다고 들었습니다.
1. 공설은 라인에 들어간다는 내용을 들은적 없는 것 같은데 얼마나 들어가나요?
2. 공설는 교대근무 없는대신 52시간 근무라고 들었는데 맞나요?
3. 공기와 공설 라인, 오피스 근무 비율이 각각 어느정도 되나요?
4. 공기에서도 라인 들어간다고 핸들링은 안하고 확인같은 것 하고 오피스 근무 한다고 들었는데 맞나요?
5. 공기, 설비중 업무강도는 어디가 더 센가요?
많이 여쭤봐서 죄송합니다... JD만보고서는 해당 질문에 대한 답을 찾을 수 없어서 질문드립니다.
현직자분들 답변 부탁드리겠습니다.