직무 · 삼성전자 / 공정설계

Q. 삼성전자 반도체 연구소 공정설계 직무

RRAM 크로스바 어레이 수율 개선 경험이 있는데, 이를 토대로 앞으로는 폰노이만 구조에서 탈피해서 비 폰노이만 구조로 가야하기 때문에 인메모리 컴퓨팅 개발이 필요할 거고, 그런 시점에서 재료과인 제가 할 수 있는건 차세대 메모리 중에서도 멤리스터에 해당하는 FTJ, PRAM, FeRAM과 같은 애들의 성능 및 수율 개선이라 생각한다고 지원동기에 쓰려고 합니다. . RRAM은 하지 않고 있다고 들어서 이렇게 작성하려고 하는데, 이와 같은 차세대 메모리들을 반연에서 다루는 것이 맞는지 궁금합니다

또 MRAM을 크로스바 어레이로 쓰는 논문을 삼성에서 낸 걸로 알고있는데, MRAM은 파운드리에서 하고 있는 것으로 알고있습니다..! 그렇지만 이런 부분을 보면 뉴로모픽이나 인메모리 컴퓨팅 분야에 반연도 충분한 관심이 있는 것으로 생각이 되는데, 인메모리 컴퓨팅 개발 쪽으로 필요하다고 적어도 괜찮은 접근일지 의견이 궁금합니다.