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1.증착 > 패턴을 형성한 후에 알파스텝을 사용하면 원하는 위치의 패턴형성된 곳의 박막두께를 알 수 있는 건가요? 2. 만약 알수있으면 여러군데 측정해보고 두께가 다르다면 박막의 uniformity가 일치하지 않다라고 판단할 수 있을까요?? 3. 패턴형성할때 wet etch를 길게해서 언더컷이 발생했다면 알파스텝으로 두께를 측정했을 때, 균일도가 다르게 나타날 수 있나요?
2024.01.09
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Q1. NAND 단수랑 HBM의 DRAM 단수랑 숫자차이가 큰데, 왜그런건가요?? Q2. 현재 삼성전자랑 SK하이닉스는 1c DRAM을 양산중인가요? Q3. 양산에 돌입 이후 약 3개월 정도 이후면 제품으로 나오는 건가요? 뉴스로 듣기로는 SK하이닉스와 삼성이 1c DRAM 양산에 돌입했다고만 듣고 이후 소식을 듣지 못해서요. Q4. 삼성전자의 메모리 CAPA 능력이 좋다고 하는데, CAPA 능력의 차이가 HBM 테스트만 통과하면 그때부터 삼성전자가 CAPA 능력으로 이기는게 가능해지는건가요? 어떤 경쟁력이 있을까요?? Q5. 보통 양산시작 이후 수율 최적화에 달성하는데 몇개월이 걸리나요? 예를들면, 1b DRAM에서요.
이력서 작성 중 인데 수상 칸이 있어서 질문 드립니다. 교육기관에서 5개월 동안 교육 받은 경험 있고 거기서 프로젝트를 만들고 상도 받았습니다 교육기관에서 실시하는 프로젝트에서 상 받은 건 수상으로 인정이 되나요???
안녕하세요. 6개월간 kist 현장실습을 하였습니다. 근무하면서 월급을 받았습니다.(근로소득은 아니고 기타소득으로 포함된다고 합니다.) 그리고 산재보험만 들었고 연수확인서를 받았습니다. 이 경우에는 경력으로 기술해도 될까요? 아니면 대내외활동인가요?
Q1. NAND 단수랑 HBM의 DRAM 단수랑 숫자차이가 큰데, 왜그런건가요?? Q2. 현재 삼성전자랑 SK하이닉스는 1c DRAM을 양산중인가요? Q3. 양산에 돌입 이후 약 3개월 정도 이후면 제품으로 나오는 건가요? 뉴스로 듣기로는 SK하이닉스와 삼성이 1c DRAM 양산에 돌입했다고만 듣고 이후 소식을 듣지 못해서요. Q4. 삼성전자의 메모리 CAPA 능력이 좋다고 하는데, CAPA 능력의 차이가 HBM 테스트만 통과하면 그때부터 삼성전자가 CAPA 능력으로 이기는게 가능해지는건가요? 어떤 경쟁력이 있을까요?? Q5. 보통 양산시작 이후 수율 최적화에 달성하는데 몇개월이 걸리나요? 예를들면, 1b DRAM에서요.
이력서 작성 중 인데 수상 칸이 있어서 질문 드립니다. 교육기관에서 5개월 동안 교육 받은 경험 있고 거기서 프로젝트를 만들고 상도 받았습니다 교육기관에서 실시하는 프로젝트에서 상 받은 건 수상으로 인정이 되나요???
안녕하세요. 6개월간 kist 현장실습을 하였습니다. 근무하면서 월급을 받았습니다.(근로소득은 아니고 기타소득으로 포함된다고 합니다.) 그리고 산재보험만 들었고 연수확인서를 받았습니다. 이 경우에는 경력으로 기술해도 될까요? 아니면 대내외활동인가요?
답변 1
채택된 답변안녕하세요 멘티님 1. 패턴이 존재하는 곳의 단차를 읽는 계측기로, 박막 두께 환산하여 알 수 있습니다. 2. 여러 군데 측정하여 균일도를 알 수 있으나, 알파스텝 계측기를 사용하는 것 보다는 증착된 박막의 반사율을 이용하여 두께를 측정하는 계측기를 이용하여 웨이퍼 내 5points, 9points 등의 반사율을 측정하여 균일도를 아는 방법이 더 용이한 방법입니다. 3. Wet etch로 인한 언더컷 발생 하더라도 알파스텝은 패턴의 단차를 측정하는 방법으로 멘티님께서 2번 질문에 말씀하셨던 것 처럼 여러 군데 측정을 통해 균일도를 알 수 있습니다.
