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Q. 반도체 패턴 사라짐 원인에 대해 궁금합니다

안녕하세요 패턴 사라짐 현상에 대해 혼자 생각해보다가 2가지에 대해 궁금해서 여쭤봅니다. 첫번째 가정: 식각 -> PR strip 이후 상황 원인: 균일하게 PR이 도포되지 않은 상태 결과: 후공정(식각, PR strip)진행 -> 두껍게 도포된 PR부분이 완벽하게 strip 되지 않음 -> 패턴 사라짐 제가 생각한 과정인데 충분히 일리가 있나요? 두번째 식각 과정에서 PR이 완전한 내성을 가지고 있는 것이 아니기 때문에 일부분이라도 반드시 제거가 된다고 알고 있습니다. 만약 PR이 얇을 때 식각 과정에서 PR과 SiO2가 같이 벗겨질 수 있나요? 이 상황에서 SiO2가 조금이라도 남아있다면 패턴 형성이 가능한 부분인가요?