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Q. HBM DRAM 문의

HBM은 DRAM을 적층한다고 들었습니다. TSV로 관통하여 연결하고, 아마 다른 DDR5에서 사용하는 다른 PERI를 붙이겠지요. 맞나요? 또한, DDR5에서 사용하는 DRAM이나 HBM에서 적층된 DRAM 각각은 전부 같은 공정을 거쳐서 생산되나요? 아니면 셀 배치 설계부터가 다른 DRAM을 만드나요? 이렇게 생각하면 되나요? "셀 영역을 DRAM이라고 부르고, 그 DRAM을 적층한 뒤, PERI(컨트롤 해주는 녀석)을 붙이면 HBM. 즉, DDR5의 DRAM과 HBM의 DRAM은 동일. 다만, PERI나 TSV여부, 적층 여부 등의 차이."??