직무 · 삼성전자 / 공정기술
엔지니어가 팹에 들어갈 일이 더 많나요?? 그리고 공정기술 에치나 포토로 배정 받으면 신입이 가장 먼저 들어가서 배우는 일이 무엇인지 궁금해요!
2026.03.10
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삼성전자 목표로 하고있는 전자공학과 3학년 학생입니다. 현재 학점은 4.3x이고 공모전 나가서 수상경험과 토스 ih정도 밖에없습니다. 경험이 부족한거 같아 4학년내내 학부연구생 하려고 합니다. 따라서 졸업후에 삼성전자 인턴하고 하반기에 취업을 노려보는게 가능하다면 좋다고 보시는지 궁금합니다. 아니면 바로 취준을 해야할지 의견 부탁드립니다.
안녕하세요 멘토님. 현재 삼성전자 공정기술 직무 지원을 준비 중이라 방향에 대해 조언을 구하고 싶습니다. 제 스펙은 인서울 하위권 전자공학 전공 / 학점 3.7(4.5)이며, ADsP와 6시그마 GB 자격증을 보유하고 있습니다. 또한 후공정 회사에서 약 8개월 동안 Bump 공정기술 업무를 수행하며 RDL 및 Bump 형성 과정에서 Electro-Plating 공정 관리 경험을 쌓았습니다. 학부 시절에는 MOSFET 제작 공정실습, TCAD 프로젝트, 공정설계 교육(코멘토) 등을 경험했습니다. 제가 수행했던 Electro-Plating 기반 Bump 공정 경험이 어느 사업부와 더 연관성이 있는지 궁금합니다. 혹시 메모리사업부에서도 Electro-Plating 공정을 수행하는지, 아니면 주로 TSP 총괄에서 담당하는지 조언을 주시면 큰 도움이 될 것 같습니다.
메모리 사업부와 반도체 연구소 중에 어느 사업부와 밀접하며 합격확률이 높을지 조언한번 해주시면 감사드리겠습니다. 학교: ssh 전자공학과 대외활동: X 학점 3.91(전체)/4.08(전공) 영어: im1 교육: 하이닉스 반도체 커리큘럼 학부연구생: 0(6개월소자연구실) 직무 관련 : 1. 2D 물질 high-k stack 소자 제작 (short channel 사용) - C-V / I-V / MIM leakage / breakdown / TDDB/Gate leakage/SS/Vth 분석, uv-ozone 장비 사용 2. EBL (Electron Beam Lithography) 장비 resolution 테스트 및 short channel 조건 최적화 3. 2D물질 ICP plasma etch 조건 새로 잡음 (Ar/O2/CF4 조합 최적화) 4. 비정형 패턴 이상 및 신규 결함을 사전 라벨링 없이 탐지할 수 있는 구조 기반 Zero-shot anomaly 논문 및 sw저작권 등록증
삼성전자 목표로 하고있는 전자공학과 3학년 학생입니다. 현재 학점은 4.3x이고 공모전 나가서 수상경험과 토스 ih정도 밖에없습니다. 경험이 부족한거 같아 4학년내내 학부연구생 하려고 합니다. 따라서 졸업후에 삼성전자 인턴하고 하반기에 취업을 노려보는게 가능하다면 좋다고 보시는지 궁금합니다. 아니면 바로 취준을 해야할지 의견 부탁드립니다.
안녕하세요 멘토님. 현재 삼성전자 공정기술 직무 지원을 준비 중이라 방향에 대해 조언을 구하고 싶습니다. 제 스펙은 인서울 하위권 전자공학 전공 / 학점 3.7(4.5)이며, ADsP와 6시그마 GB 자격증을 보유하고 있습니다. 또한 후공정 회사에서 약 8개월 동안 Bump 공정기술 업무를 수행하며 RDL 및 Bump 형성 과정에서 Electro-Plating 공정 관리 경험을 쌓았습니다. 학부 시절에는 MOSFET 제작 공정실습, TCAD 프로젝트, 공정설계 교육(코멘토) 등을 경험했습니다. 제가 수행했던 Electro-Plating 기반 Bump 공정 경험이 어느 사업부와 더 연관성이 있는지 궁금합니다. 혹시 메모리사업부에서도 Electro-Plating 공정을 수행하는지, 아니면 주로 TSP 총괄에서 담당하는지 조언을 주시면 큰 도움이 될 것 같습니다.
메모리 사업부와 반도체 연구소 중에 어느 사업부와 밀접하며 합격확률이 높을지 조언한번 해주시면 감사드리겠습니다. 학교: ssh 전자공학과 대외활동: X 학점 3.91(전체)/4.08(전공) 영어: im1 교육: 하이닉스 반도체 커리큘럼 학부연구생: 0(6개월소자연구실) 직무 관련 : 1. 2D 물질 high-k stack 소자 제작 (short channel 사용) - C-V / I-V / MIM leakage / breakdown / TDDB/Gate leakage/SS/Vth 분석, uv-ozone 장비 사용 2. EBL (Electron Beam Lithography) 장비 resolution 테스트 및 short channel 조건 최적화 3. 2D물질 ICP plasma etch 조건 새로 잡음 (Ar/O2/CF4 조합 최적화) 4. 비정형 패턴 이상 및 신규 결함을 사전 라벨링 없이 탐지할 수 있는 구조 기반 Zero-shot anomaly 논문 및 sw저작권 등록증
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