스펙 · 삼성전자 / 공정기술

Q. 반도체 공정기술 예정 프로젝트

안녕하세요. 반도체 공정기술 직무를 희망하고 있는 취준생입니다. 현재 연구소에서 Si 8인치급 Fab공정 업무를 맡고있습니다. 에칭공정에서 via hole의 패턴을 실험계획법을 통해 인과관계를 확인하며 목표타겟에 맞게 레시피를 최적화 하려고 합니다. 반응인자로는 Etch rate, Via top&bottom CD, Sidewall angle, Selectivity, Uniformity이 있습니다. 1) 실험1: 가스 혼합비(가스 종류 별 유량 및 조합비, 총 유량은 고정)에 따른 반응 변화. 2) 실험2: Pressure, Power, Bias Power에 따른 반응 변화 제가 실험1 -> 실험2 순으로 프로젝트를 진행하려고 하는데 Sidewall angle을 90도 목표로 최적화 하는 과정이 합리적인지 궁금합니다. 3) 제가 작성한 반응에 영향을 가장 많이 미치는 순서를 알고싶습니다. 이를 통해 파라미터 고려해야 될 우선순위를 파악해 보고 싶습니다!