직무 · 삼성전자 / 공정기술
중심부와 가장자리의 CD 차이로 소자 특성이 낮아지고 수율이 낮아지는 상황일 때 1. 압력 높여서 플라즈마 충돌 증가-> 확산을 증가시켜서 중심부에 플라즈마 많아지는 거 방지 2. CHF3와 같은 폴리머 형성 가스 유량 소폭 늘려서 중심부 과식각 막음 이렇게 개선 레시피를 설계해보았는데 타당한 방안일까요? 그리고 저 두 방안은 공정 압력을 늘리면 전체적인 속도가 느려질 수 있고 또 폴리머형성 가스를 넣으면 오히려 가장자리 식각 속도도 느려질 수있다는 단점이 있는 거 같은데… 어떤 식의 대안이 좋을지 궁금합니다!
2025.11.07
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안녕하세요. 내년 2월 석사 졸업을 앞두고 있고 이번 하반기 삼성전자 반도체 연구소 공정기술 지원하려는 학생입니다. 1.관련 스펙 중에 삼성미래기술육성사업 과제, 정출연 과제를 하고 있는데 특히 삼성 산학 과제가 아닌 삼성 창의 과제를 하고 있으면 서류에서 많이 유리할까요 ? (관련 분야는 포토닉스 : 반도체광학입니다.) 2. 반도체연구소에 지원하게 된 계기 중 하나가 ‘신물질 및 신개념 차세대 반도체 소자 구현을 위한 차세대 공정 기술 개발‘ 이라는 직무가 있다는 점에서 제가 경험했던 바와 맞다 생각하였습니다. 하지만 작년 말에 HBM 개발 경쟁력 강화를 위해 ‘차세대공정개발팀‘이 해체되었다는 기사를 보아, 저 직무와 관련돼 있다던지, 혹은 공정기술 관련 인원을 거의 채용을 안하지 않을까 하는 생각에 질문 드립니다.
문제 해결 또는 난관 극복을 위해 노력한 경험과 그 과정을 서술하여 주십시오. -> 군대에서 있었던 일을 써도 될까요?
Module Target Spec은 각각의 module 마다의 공정 기준 이라는 의미로 이해하고 있습니다. 그렇다면, Module Target Spec을 만족시키며 수율 향상을 이끌어 제품의 안정적인 양산에 기여한다. 라는 문장은 맞는 문장인가요?
안녕하세요. 내년 2월 석사 졸업을 앞두고 있고 이번 하반기 삼성전자 반도체 연구소 공정기술 지원하려는 학생입니다. 1.관련 스펙 중에 삼성미래기술육성사업 과제, 정출연 과제를 하고 있는데 특히 삼성 산학 과제가 아닌 삼성 창의 과제를 하고 있으면 서류에서 많이 유리할까요 ? (관련 분야는 포토닉스 : 반도체광학입니다.) 2. 반도체연구소에 지원하게 된 계기 중 하나가 ‘신물질 및 신개념 차세대 반도체 소자 구현을 위한 차세대 공정 기술 개발‘ 이라는 직무가 있다는 점에서 제가 경험했던 바와 맞다 생각하였습니다. 하지만 작년 말에 HBM 개발 경쟁력 강화를 위해 ‘차세대공정개발팀‘이 해체되었다는 기사를 보아, 저 직무와 관련돼 있다던지, 혹은 공정기술 관련 인원을 거의 채용을 안하지 않을까 하는 생각에 질문 드립니다.
문제 해결 또는 난관 극복을 위해 노력한 경험과 그 과정을 서술하여 주십시오. -> 군대에서 있었던 일을 써도 될까요?
Module Target Spec은 각각의 module 마다의 공정 기준 이라는 의미로 이해하고 있습니다. 그렇다면, Module Target Spec을 만족시키며 수율 향상을 이끌어 제품의 안정적인 양산에 기여한다. 라는 문장은 맞는 문장인가요?
답변 5
안녕하세요. 여러 가지 상황에 따라 가능한 답변도 여러가지가 될 수 있겠습니다. 만약 CCP TYPE의 에칭이라면 갭을 조절해서 중심부와 가장자리의 에칭 정도의 차이를 조절할 수 있을 것 같습니다. 1의 경우 압력을 높인다고 했을 때 중심부에만 플라즈마가 많아지는 것을 방지할 수 있는지, 2의 경우 폴리머 형성 가스를 늘리면 중심부만 과식각을 방지하는지, 이런 점들을 좀 더 고려해보면 좋을 것 같고 공정 변수와 그에 따른 결과가 제각각이기 때문에 실제 평가를 진행해봐야 정확할 것 같습니다.
말씀하신 접근은 충분히 타당해요. 중심부 과식각 문제가 있을 때 압력을 높여서 입자 확산을 늘리고, 폴리머 형성 가스(CHF₃ 등)를 약간 늘려 패시베이션을 강화하는 건 실제 식각 균일도 개선에 자주 쓰는 방법이에요. 다만, 말씀하신 대로 단순히 압력이나 가스 유량만 조정하면 부작용이 따라와요. 압력을 높이면 플라즈마 에너지가 떨어져 전체 식각 속도가 느려지고, 폴리머 가스를 많이 넣으면 전체적으로 식각이 막혀버릴 수 있죠. 이럴 땐 조정을 한쪽만 세게 하지 말고 ‘균형’을 맞추는 게 핵심이에요. 예를 들어, 압력을 약간만 높이되(2~3 mTorr 정도), 총 가스 유량을 조금 늘려서 체류시간을 보정해주면 속도 저하를 줄일 수 있습니다. 폴리머 가스를 늘릴 땐 O₂를 아주 소량 같이 넣어주면, 패시베이션이 과하게 쌓이지 않으면서 중심부 과식각을 완화할 수 있습니다. 또 다른 방법으로는 척(ESC) 온도 조절이 있어요. 중심부 온도를 살짝 낮추면 폴리머가 잘 형성돼 식각 속도를 억제할 수 있고, 반대로 가장자리는 조금 높여 폴리머 형성을 줄이는 식이죠. 이런 식으로 접근하면 센터-엣지 CD 차이를 줄이면서도 전체 식각 속도나 프로파일을 크게 해치지 않습니다. 결국 중요한 건 “압력이나 가스를 크게 바꾸는 게 아니라, 공정 조건들 간의 균형을 얼마나 섬세하게 잡느냐”예요. 실제 라인에서도 이런 문제는 단순 파라미터 조정보다는 온도, 가스 분포, 링 컨디션 등 하드웨어 컨디션 점검까지 같이 보는 경우가 많습니다. 요약하자면, 지금 제안하신 두 가지 방향은 기본 원리는 맞고, 거기에 가스 밸런스(O₂ 미량), ESC 온도 조절, 배기 스로틀 조정 같은 보정 포인트를 섞으면 실무적으로 훨씬 안정적인 개선 레시피가 됩니다.
