직무 · 삼성전자 / 공정기술
삼성전자 공정기술 지원했는데 식스시그마 취득 이유를 어떤식으로 말해야할지 모르겠습니다 ㅠㅠ혹시 어떤식으로 말씀하셨었나요?
2023.03.17
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안녕하세요 반도체공정기술직무를희망하는학생입니다 다름이 아니라 면접에 대해서 궁금한게 있어서 여쭤봅니다 아무래도 반도체공정기술직무를 희망하다보니 반도체 공정기술등에 대한 내용을 포커스로 공부를 좀 하고 있었습니다. 제가 궁금한 건 제가 화학공학과 전공인데 면접시에 직무관련된 내용인 반도체공정기술이론에 대한 그런 질문 뿐만아니라 화학공학과에서 배웠던 전공지식 (예를들면 유체역학 베르누이방정식, 열역학, 반응공학)등에 대해서도 질문을 디테일하게 하시는지 궁금합니다.. 본전공 전공지식 또한 여쭤보시는지 궁금해요 어느정도까지 준비를 하고 있어야하나 해서요ㅠㅠ
안녕하세요 반도체 공정기술 직무를 희망하고 있는 화학공학부 학생입니다 학교에서 개설된 반도체 소부장 융합전공 사업단에서 반도체 실습을 진행하였습니다. 실습의 내용은 방사선과 반도체 부품평가라는 내용으로 진행되었습니다. 활동 내용은 반도체공정 xr 실습 , 방사선입자와 단일이벤트효과 실험실습 교육(see메모리),반도체소자 및 회로 측정 전산모사 시뮬레이션 이론 교육, 반도체 웨이퍼 및 칩의 전기적 특성 테스트 이라는 해당 주제로 약 한시간 가량씩 실습을 한 거 같습니다.(1박2일 진행) 아마 이수증은 k-mooc 와 연계되어 방사선과 반도체 부품평가라는 이름으로 나올 거 같습니다 이러한 활동을 반도체 실습처럼 이력서와 같은 저의 활동을 기재하는 곳에 기재가 가능한 것인지 궁금합니다. 반도체공정실습에 대해 실제 면접에서는 딱히 질문이 나오지 않는다고 들어, 얼마나 관심이 있는지만 본다고 하여 저의 이러한 경험도 기재해도 되는 지 궁금합니다. 딱히 얻어온게없어서 고민이됩니다.
안녕하세요. 예전 소자 공정중에 Deep rie를 이용해 실리콘 식각중 edge fast현상으로 인해 과식각된 웨이퍼 edge로 부터 웨이퍼 크랙이 발생했었습니다. 또한 장비는 showerhead 구조가 아니라 중앙 상단으로부터 가스를 확산시키는 Icp형태였습니다. 1. 이 경우 edge fast보다는 중앙부분이 과식각되야되는게 아닌지 2. 그렇다면 이 현상에 대한 이유는 플라즈마 가스 밀도차이같은데 clamping 불량에 따른 부분별 온도차이, 또는 edge ring 에의한 영향이 있을수 있는지?(제가 추측한 답입니다.) 가 궁금합니다.
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안녕하세요. 예전 소자 공정중에 Deep rie를 이용해 실리콘 식각중 edge fast현상으로 인해 과식각된 웨이퍼 edge로 부터 웨이퍼 크랙이 발생했었습니다. 또한 장비는 showerhead 구조가 아니라 중앙 상단으로부터 가스를 확산시키는 Icp형태였습니다. 1. 이 경우 edge fast보다는 중앙부분이 과식각되야되는게 아닌지 2. 그렇다면 이 현상에 대한 이유는 플라즈마 가스 밀도차이같은데 clamping 불량에 따른 부분별 온도차이, 또는 edge ring 에의한 영향이 있을수 있는지?(제가 추측한 답입니다.) 가 궁금합니다.
답변 4
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