취업 · 삼성전자 / 공정기술
Q. CLN time
PECVD SiO2 산화막 증착 공정에서 step8이 아래와 같이 단계적인 step를 거친다면, 1) CLN이랑 purge, pumping의 차이는 뭔가요? purge -> pre-coat -> plasma on -> depo -> plasma off -> pumping -> CLN -> purge 자소서에 CLN time이 짧아 내부 부산물이 제거되지 않아, uniformity가 나빠졌다. 이런식으로 썼는데.. 쓰고 보니 cleaning이라는 목적이 동일한데 무슨 차이가 있는지 모르겠네요. 2) 공정 recipe에서 CLN time 조절해봤다 해도 문제가 되진 않을까요? 면접시 물어본다면 CLN time 조절에 따른 uniformity 차이를 분석했다. 이렇게 답하면 괜찮을까요? 읽어주셔서 감사합니다!
2024.09.08
답변 3
- 메메에모리삼성전자코상무 ∙ 채택률 48% ∙일치회사학교
네 조절에 따른 uniformity 분석했다고 하면 좋을 것 같습니다
- MMemory Department삼성전자코전무 ∙ 채택률 82% ∙일치회사
지원자님, 안녕하세요! PECVD 공정에서 CLN, purge, pumping에 대한 질문 주셨네요~ 이와 관련된 차이점을 잘 설명해 드릴게요! CLN은 장비 내에 잔여 부산물이나 불순물을 제거하는 주요 청소 단계를 말해요. 주로 플라즈마를 활용해 내부에 남은 부산물을 제거하는 과정을 의미하죠. purge는 가스를 불어넣어 내부에 남아 있는 반응 가스를 제거하는 과정입니다. CLN 전후에 진행돼서 가스 혼입을 방지하는 역할을 해요. pumping은 진공 펌프를 이용해 가스나 불순물을 배출하는 과정입니다. 반응 전후에 시스템을 진공 상태로 만들어주기 위한 필수 단계죠~ 즉, purge는 주로 가스 교체, pumping은 진공 상태를 만드는 데 중점을 두고, CLN은 장비 내부 청소의 의미로 사용된다고 보시면 됩니다! 공정 recipe에서 CLN time을 조절해본 경험을 자소서에 작성하신 건 전혀 문제가 되지 않아요! 실제로 CLN time이 너무 짧으면 부산물이 제대로 제거되지 않아 uniformity에 영향을 줄 수 있기 때문에, 이를 개선하기 위해 CLN time을 조절한 경험은 매우 중요한 실무 경험이죠. 면접에서 이 부분이 나온다면, CLN time 조절에 따른 uniformity 차이 분석을 논리적으로 설명하시면 좋을 것 같아요! 분석 과정에서 어떤 데이터를 바탕으로 결론을 도출했는지도 함께 설명하시면 더욱 효과적일 거예요~ 응원할게요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
- 초초음파식가습기삼성전자코이사 ∙ 채택률 76% ∙일치회사직무
안녕하세요~ 1. PURGE 는 챔버 상태를 공정에 맞게 정리해주신다고 생각하시면 되구요, CLN 은 챔버 상태를 아무것도 없는 상태로 만들어 준다고 생각하시면 편합니다! 보통 PURGE 는 웨이퍼 마다 하구요, CLN은 웨이퍼 마다 하는 것도 있고, 랏단위로 하는 것도 있습니다. 또한 PURGE 는 반응성 없는 가스를 넣어 부산물을 빼주는 단계고, CLN은 다른 가스나 용액을 넣어 챔버 내부를 정리하는 용도입니다. 2. 넵! CLN 공정도 후속 공정 및 UNIFORMITY 에 영향을 미치기 때문에 괜찮습니다.
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