직무 · 삼성전자 / 공정기술

Q. DC sputter 질문입니다!

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안녕하세요 금속W 박막 증착할 때 사용하는 DC sputter deposition 관련 질문있습니다 1. Current 증가 -> 극으로부터 나오는 전자의 수의 증가로 전기장의 세기가 증가 -> Ar가스의 이온화율이 증가 -> sputter율 증가. 2. 공정압력 증가 (진공도 감소) -> 전자의 MFP가 짧아짐 -> 가속되기 어려워지며 Ar가스의 이온화율이 감소 -> sputter율 감소. 3. 가스유량(Ar) 증가 -> Ar의 이온화율과 스퍼터율을 증가 /// but 가스유량이 너무 많을 경우 오히려 전자의 MFP를 감소시켜 박막의 두께가 감소. 제가 이해하고 있는게 맞을까요?! 감사합니다!


2024.09.07

답변 4

  • 탁기사삼성전자
    코사장 ∙ 채택률 78%
    회사
    일치

    채택된 답변

    네 맞습니다. sputter에 영향을 주는 중요한 인자에 대해서 잘 이해하셨습니다. 보통 대부분의 스퍼터나 증착 장비들이 전류, 바이어스 , 압력, 유량, 플라즈마용량 등에 대해 결정됩니다.

    2024.09.06


  • 메에모리삼성전자
    코상무 ∙ 채택률 49%
    회사
    일치

    네 잘 이해하고 계신 것 같습니다 ㅎㅎ

    2024.09.07


  • M
    Memory Department삼성전자
    코전무 ∙ 채택률 82%
    회사
    일치

    안녕하세요, 지원자님! 전체적으로 이해하신 내용은 대체로 맞습니다만, 몇 가지 세부 사항을 보완할 수 있을 것 같아요~! Current 증가: 맞습니다! 전류가 증가하면 극으로부터 나오는 전자의 수가 증가하고, 이로 인해 전기장이 강해져 Ar 가스의 이온화율이 증가하고 sputter율이 증가합니다. 공정압력 증가: 공정압력이 증가하면 압력이 낮아져 전자의 Mean Free Path (MFP)가 길어지는데, 이로 인해 전자가 아르곤 이온을 충분히 이온화하지 못하고 sputter율이 감소할 수 있습니다. 다만, 너무 낮은 압력에서는 다른 문제가 발생할 수 있습니다~! 가스 유량 증가: 맞아요! Ar 가스의 유량이 증가하면 이온화율과 sputter율이 증가합니다. 그러나 너무 많은 가스 유량은 전자의 MFP를 줄여서 가스가 장비 내에서 빠르게 흐르고, 이로 인해 sputter율이 예상과 다르게 될 수 있습니다. 이해가 잘 되셨기를 바랄게요~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

    2024.09.06


  • 다시 돌아온 상코미코
    코사장 ∙ 채택률 99%

    안녕하세요 멘티님 해당 질문에 대해 답변 드리겠습니다. 네 이론적으로는 맞습니다. 하지만 무조건 맞다라고 하긴 어렵습니다. 그래서 실무에서는 최적의 파라미터를 찾는 업무를 합니다. 도움이 된 답변이라면 채택 부탁드려요! 취업에 성공하시길 바랍니다!

    2024.09.06


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