직무 · 삼성전자 / 공정기술

Q. Gate와 채널의 영향

크ㅡ크크킄

Gate를 식각하는 과정에서 목표하는 스펙대로 Gate를 vertical하게 식각해야 된다고 배웠습니다. 이 과정에서 Gate의 크기나 형상이 채널의 전기적 특성에 영향을 준다고 하는데 구체적인 내용을 알 수 있을까요? (게이트 모양이 어떠면 채널에 어떠하게 영향을 주는지?)


2024.11.18

답변 5

  • g
    growingdev.blog삼성전자
    코부장 ∙ 채택률 70%
    회사
    일치

    수직으로 균일하게 만들지 못한다면 길이가 비대칭이 발생해서 채널길이가 짧아지는 쪽이 발생하고 누설 전류가 증가할 수 있구요 또 전류의 흐름이 왜곡되어 Vth가 변경되어 소자간 편차가 발생할 수 있습니다

    2024.11.18


  • 메에모리삼성전자
    코상무 ∙ 채택률 49%
    회사
    일치

    사례가 너무 다양하여 하나만 말씀드리기 어려운데, 반도체 공학에 나오는 DIBL 같은 기본적인 이슈들을 공부하시면 도움이 될 것 같아요

    2024.11.18


  • 칸칸이삼성전자
    코차장 ∙ 채택률 67%
    회사
    일치

    안녕하세요 Gate의 크기와 형상은 채널의 전기적 특성에 직접적인 영향을 미칩니다: 1. Gate 폭(W): Gate 폭이 넓어지면 채널 전류가 증가해 소자의 구동 능력이 향상됩니다. 2. Gate 길이(L): 길이가 짧아질수록 채널 길이가 짧아져 전류가 빨리 흐르지만, SCE로 인해 누설 전류가 증가하고 임계 전압이 감소할 수 있습니다. 3. Gate 형상의 불균일성: 식각 불균일로 Gate가 비대칭적이거나 비수직적이면 전기장이 왜곡되어 채널의 이동도가 감소합니다.

    2024.11.18


  • 탁기사삼성전자
    코사장 ∙ 채택률 78%
    회사
    일치

    만약 gate를 에치할때 덜 깎였다고 가정하면 tem프로파일을 봤을때 정확히 직사각형으로 깎여야하나 제일 밑 양옆이 덜 깎였다고 생각해보면, 그쪽에 저항이나 기생cap이 증가하게되고 이로인해 해당 게이트 동작시 vth가 상승하고 전류가 늦게 on off되거나 원히는 값이 흐르지 않을 수 있어요^^도움되셨으면 채택해주시면 감사합니다. 소자모양보다도 vth , 채널길이, 누설전류 등 먼저 소자이대한 지식을 이해하는게 중요해보입니다.

    2024.11.18


  • 흰수염치킨삼성전자
    코전무 ∙ 채택률 57%
    회사
    직무
    일치

    안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 전류나 저항 같은 기본적인 전기 특성이 다 바껴요 전자 이동도도 영향을 받고요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

    2024.11.18


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