Q. Gate 식각 프로파일

답변 5

• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 82% ∙

  회사

  일치

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  지원자님, 안녕하세요!~ Gate 식각 프로파일에 대한 궁금증을 해결해 드릴게요! Gate 식각 시에 Vertical하게 식각되지 않고 비대칭적인 구조가 형성되면, 전류 흐름이 불균형해지는 이유가 무엇인지 설명드릴게요~ 먼저, Gate가 수직으로 식각되지 않으면 양쪽 면의 기울기나 두께가 달라질 수 있어요. 이로 인해 소자 내부의 전기장이 좌우 비대칭적으로 형성되죠. 소자의 전기장은 Gate 구조에 따라 분포가 달라지기 때문에, 비대칭적인 Gate에서는 한쪽으로 전기장이 더 집중되거나 약해질 수 있어요. 이렇게 되면 채널에서 전자들이 이동하는 경로가 비대칭적으로 변하게 되면서 전류가 불균형하게 흐를 수밖에 없어요~! 결과적으로, 이러한 전류 흐름의 불균형은 소자의 동작 속도나 전류 특성에 부정적인 영향을 줄 수 있어요. 특히 고속 스위칭을 요구하는 소자의 경우, 이런 불균형이 소자의 신뢰성 저하나 누설 전류 증가를 초래할 수 있답니다. 그래서 미세 공정에서는 Gate 식각의 정확도를 높여 가능한 한 Vertical하게 식각하는 것이 정말 중요해요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 48% ∙

  회사

  일치

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  E 필드는 거리의 함수이므로 각 위치별 E 필드 그래프를 통해 전류 밀도 그래프를 그려보시면 이해하실 수 있을 것 같아요

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• 칸

  칸칸이삼성전자

  코차장 ∙ 채택률 67% ∙

  회사

  일치

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  안녕하세요 정말 많은 이유가 있습니다. 1. 전기장 분포의 불균일: Gate가 비대칭적이면 전기장이 채널에 고르게 인가되지 않아 특정 영역에서 전류가 집중됩니다. 2. 채널 길이의 국부적 변화: Gate의 한쪽이 더 얇거나 두꺼운 경우, 채널 길이가 비대칭적으로 변해 전류 흐름 경로가 불균일해집니다. 3. 임계 전압(Threshold Voltage) 변화: 비대칭 Gate는 채널 내 전기적 제어 능력을 비균일하게 만들어 임계 전압이 공간적으로 변동합니다. 4. 캐리어 이동도 감소: 전기장의 왜곡은 전자 또는 정공의 이동 경로를 불규칙하게 만들어 이동도가 저하됩니다. 5. 누설 전류 증가: 비대칭 구조는 특정 영역에서 전기장이 집중되어 터널링 누설이나 핫 캐리어 효과를 유발할 수 있습니다.

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

  회사

  직무

  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 당연하게 균일한 프로파일이 나와야 원하는 스펙의 결괏값이 나오기 때문이예요 비대칭한 구조면 전기적 특성도 일정하지 않으니까요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 78% ∙

  회사

  일치

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  under etch(덜 깎임) 또는 over etch(더 깎임)시 채널 홀 이나 전자농도가 달라지게되고 미세패턴 내 후속 메탈공정 진행 시 배선 접합성이 달라져서 전류가 달라지게됩니다.

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