대학생활 · 삼성전자 / 공정설계
Q. FinFET 로직노드 기준?
안녕하세요 현재 학부연구생으로 TCAD를 배우고 있는 학부생입니다. 다름이 아니라 로직노드를 기준으로 몇나노를 정할 때, 일반적인 Planar MOSFET은 Gate Length를 기준으로 하는 반면, FinFET에서는 Fin Width로 하는 것 같습니다. 질문 사항은 다음과 같습니다. 1. 왜 FinFET은 Gate Length가 아니라 Fin Width를 기준으로 하는지? 2. GAA 구조에서는 그럼 Nanosheet의 Width로 하는지 아니면 Gate Length로 잡는지?
2024.12.10
답변 5
- MMemory Department삼성전자코전무 ∙ 채택률 82% ∙일치회사
채택된 답변
지원자님 안녕하세요~ TCAD를 배우고 계신다니 정말 멋지세요! FinFET와 GAA 구조 관련 질문 주신 내용을 하나씩 풀어볼게요~ FinFET에서 왜 Gate Length가 아니라 Fin Width를 기준으로 할까? FinFET은 기존 Planar MOSFET과 달리 3D 구조를 활용합니다~ FinFET에서는 Fin이 채널 역할을 하며 전류 흐름의 주요 통로가 되죠. 여기서 Fin Width는 채널의 물리적 크기와 전류 흐름 제어 능력에 직접적으로 영향을 주기 때문에, 노드의 스케일링 기준으로 더 적합하게 쓰이는 거예요~ 반면, Gate Length는 Planar MOSFET에서는 채널 길이 자체가 스케일링의 핵심이었지만, FinFET에서는 Fin 자체의 특성이 더 중요하답니다! 그렇다면 GAA 구조에서는 Nanosheet Width로 기준을 잡는지? GAA(Nanosheet) 구조에서는 Gate가 채널을 4면 모두 감싸는 형태라, 노드 기준이 약간 다릅니다! Nanosheet 구조에서 Width는 전류가 흐를 수 있는 채널 면적을 결정하기 때문에 FinFET처럼 중요한 스케일링 요소가 될 수 있어요~ 하지만, 제조 공정에서 Gate Length는 여전히 중요한 물리적 특성이므로 둘 다 고려될 가능성이 높습니다. 최근에는 노드 크기 자체가 마케팅 용도로도 활용되면서 정확히 어떤 기준이든 상황에 따라 바뀔 수도 있어요~ 지원자님께서 이론을 이렇게 깊이 고민하고 계신 걸 보니 앞으로 공정설계나 반도체 연구에서 정말 좋은 성과 내실 것 같아요~ 궁금한 점 더 생기시면 언제든 질문해주세요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~! ~
안경공대남삼성전자코부사장 ∙ 채택률 65% ∙일치회사구조를 이해하면 됩니다. FINFET은 fin width가 TR의 특성을 잡고 있기때문에 중요한 항목입니다
- 메메에모리삼성전자코상무 ∙ 채택률 49% ∙일치회사
어떤걸 기준으로 하는지는 세대마다 다릅니다. GAA에서는 Nano sheet width 기준으로 삼는다고 알고 있습니다.
- 칸칸칸이삼성전자코차장 ∙ 채택률 67% ∙일치회사
안녕하세요 1. Planer Mosfet에서는 length가 전류 흐름을 제어하지만, Finfet에서는 게이트가 Fin의 삼면을 둘러싸잖아요. 이때 Fin의 width가 전류 흐름에 더 큰 역할을 하게 됩니다. 2. 제조사마다 다른데요, 표기할 때는 기존 기술 노드 명칭 체계와 일관성을 유지하기 위해 length를 많이 사용하는 것 같아요
- 흰흰수염치킨삼성전자코전무 ∙ 채택률 57% ∙일치회사
안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 사실 로직노드 기준이 애매해요 실제 거리라기보단 성능을 기준으로 정해요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
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