Q. FinFET 로직노드 기준?

답변 5

• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 82% ∙

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  일치

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  채택된 답변

  지원자님 안녕하세요~ TCAD를 배우고 계신다니 정말 멋지세요! FinFET와 GAA 구조 관련 질문 주신 내용을 하나씩 풀어볼게요~ FinFET에서 왜 Gate Length가 아니라 Fin Width를 기준으로 할까? FinFET은 기존 Planar MOSFET과 달리 3D 구조를 활용합니다~ FinFET에서는 Fin이 채널 역할을 하며 전류 흐름의 주요 통로가 되죠. 여기서 Fin Width는 채널의 물리적 크기와 전류 흐름 제어 능력에 직접적으로 영향을 주기 때문에, 노드의 스케일링 기준으로 더 적합하게 쓰이는 거예요~ 반면, Gate Length는 Planar MOSFET에서는 채널 길이 자체가 스케일링의 핵심이었지만, FinFET에서는 Fin 자체의 특성이 더 중요하답니다! 그렇다면 GAA 구조에서는 Nanosheet Width로 기준을 잡는지? GAA(Nanosheet) 구조에서는 Gate가 채널을 4면 모두 감싸는 형태라, 노드 기준이 약간 다릅니다! Nanosheet 구조에서 Width는 전류가 흐를 수 있는 채널 면적을 결정하기 때문에 FinFET처럼 중요한 스케일링 요소가 될 수 있어요~ 하지만, 제조 공정에서 Gate Length는 여전히 중요한 물리적 특성이므로 둘 다 고려될 가능성이 높습니다. 최근에는 노드 크기 자체가 마케팅 용도로도 활용되면서 정확히 어떤 기준이든 상황에 따라 바뀔 수도 있어요~ 지원자님께서 이론을 이렇게 깊이 고민하고 계신 걸 보니 앞으로 공정설계나 반도체 연구에서 정말 좋은 성과 내실 것 같아요~ 궁금한 점 더 생기시면 언제든 질문해주세요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~! ~

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• 

  안경공대남삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 65% ∙

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  일치

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  구조를 이해하면 됩니다. FINFET은 fin width가 TR의 특성을 잡고 있기때문에 중요한 항목입니다

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 49% ∙

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  일치

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  어떤걸 기준으로 하는지는 세대마다 다릅니다. GAA에서는 Nano sheet width 기준으로 삼는다고 알고 있습니다.

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• 칸

  칸칸이삼성전자

  코차장 ∙ 채택률 67% ∙

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  일치

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  안녕하세요 1. Planer Mosfet에서는 length가 전류 흐름을 제어하지만, Finfet에서는 게이트가 Fin의 삼면을 둘러싸잖아요. 이때 Fin의 width가 전류 흐름에 더 큰 역할을 하게 됩니다. 2. 제조사마다 다른데요, 표기할 때는 기존 기술 노드 명칭 체계와 일관성을 유지하기 위해 length를 많이 사용하는 것 같아요

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

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  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 사실 로직노드 기준이 애매해요 실제 거리라기보단 성능을 기준으로 정해요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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