직장생활 · 삼성전자 / 공정설계
Q. 삼성전자 복지
삼성전자 복지 정리해주실 분 계신가요??
2024.06.06
답변 6
- 기흥평택하드워커삼성전자코전무 ∙ 채택률 71% ∙일치회사
채택된 답변
안녕하세요 삼전은 자부심 + 월급 + 출퇴근 셔틀 용이성 말고는 없을것같네요 상세한것은 여기서 풀수 없으니 취업하시면 느끼시길 바랍니다 추첨제 복지가 은근이 있으니 참고바랍니다 이상채택바랍니다
- 취취뽀요정!삼성전자코차장 ∙ 채택률 71% ∙일치회사직무
채택된 답변
안녕하세요, 네이버 블로그에 "삼성전자 임직원 복지 총 정리"라고 검색하시면 잘 정리된 글이 나옵니다 이걸 참고하시면 될것 같네요
- 탁탁기사삼성전자코사장 ∙ 채택률 78% ∙일치회사직무
채택된 답변
무료통근버스, 3식무료, 복지포인트, 휴양소 .. 뭐이런거있고 타기업대비 복지가 엄청 좋진 않습니다..ㅎ
남양연구소현대자동차코사장 ∙ 채택률 96%채택된 답변
안녕하세요 복지는 어디까지가 복지인지 참 애매합니다. 휴양소, 배우자 건강검진 지원, 3일 재충전 휴가, 테이크아웃 가능, 가전 할인, 통근 버스, 자율출퇴근, 에버랜드/캐비 할인, 사내 병원 등이 있는데 누구한테는 복지이고 누구는 복지라 생각안할 수 있어서 애매합니다.
댓글 1
남양연구소2024.06.02
도움이 되셨다면 채택 부탁드립니다.
- ddev.jelly삼성전자코상무 ∙ 채택률 49% ∙일치회사
채택된 답변
의료비 지원 각종 교육 지원 패밀리넷 식사 제공(주말 포함 3끼) 개인연금 학술연수 등등인것 같습니다
ABC3210삼성전자코부장 ∙ 채택률 99%삼성전자 복지는 대략 다음과 같습니다 출퇴근 셔틀버스 하루 3끼 무료 제공 (테이크 아웃 제도 있음) 100만원 복지포인트 패밀리넷 사이트에서 삼성전자 제품 할인하여 구매 가능 에버랜드/롯데월드 5000원 (추첨제) 국내 호텔/리조트 할인 (추첨제) 귀향버스 제공 디데이/패밀리데이 (월1회 주4일제) 자율 출퇴근 사내 헬스장 수영장 의료비 제공 개인연금 월급 3% 회사 납부 등등 입니다.
함께 읽은 질문
Q. 반도체 기업 직무 선택
안녕하세요 졸업을 앞둔 전자공학부 학생입니다. 이번 상반기에 지원을 할 때 공정설계와 공정기술중 어떤 직무로 지원해야할지 고민중입니다. 현재 제 상태는 학점: 3.61 어학: 오픽 IH 경험: TCAD로 소자 설계 및 분석 소자 공정 레이아웃 설계, 제작 및 분석(위 두개는 모두 학교 수업입니다) 마스크 제조회사 공정기술팀 인턴 3개월(진행중) 정도입니다. 작년 하반기에는 공정기술로 모두 지원했었습니다. 유명 취업사이트에서 상담 비슷할걸 했었는데, 전자과라는점과 프로젝트 내역을 보면 공정설계로 지원을 해야한다 라고 하시더라구요. 사실 공정기술이 티오도 더 많다고들 하고, 또 제 학점이 좋은편이 아니어서 공정기술로 지원을 했었는데 이번 상반기에 어떻게 지원해야 할 지 고민중입니다. 그리고 공정설계, 혹은 공정기술로 지원했을 때 각각 어떤점을 어필하면 좋을까요?
Q. 삼성전자 S.LSI 사업부 반도체 공정설계 직무
안녕하세요. 전자전기공학부 4학년에 재학중입니다. 삼성전자 시스템 LSI 사업부 중 반도체 공정설계 직무에서 '픽셀 설계'에 관심이 있습니다. 관련 정보가 적어 코멘토에 질문드립니다. 1. 소자 개발 관련 업무를 할 거 같은데, 실제 어떤 직무를 하게 되는지, 하루 일과가 궁금합니다. 2. 해당 직무에서 어떤 역량을 필요로 하는지 궁금합니다. 3. 저는 학생회 경험과 동아리 회장 등 소통, 리더십, 기획 관련 역량이 있는데, 이러한 경험이 공정설계 직무와도 연결될 수 있을지 궁금합니다. 구체적인 예시도 함께 들어주시면 상황 이해에 도움이 될 것 같습니다. 적은 부분이라고 알고 계신다면 답변 부탁드립니다. 진로 고민 시기라 현업 분들의 조언이 정말 큰 힘이 됩니다. 감사합니다.
Q. 반도체 문턱전압 산포 관련 질문 드립니다.
학부 때 2cm*2cm wafer를 통해 TFT를 만든 경험이 있습니다. Gate oxide로는 Al₂O₃를 사용했으며, sol-gel 공정을 기반으로 spin coating 방식으로 증착했습니다. 이때 웨이퍼 중심부에 위치한 소자들에 비해, edge(가장자리) 영역의 소자에서 문턱전압이 평균적으로 약 0.4 V 더 크게 측정되는 현상을 확인했습니다. 이에 대한 분석을 Gate Oxide가 spin coating 시에 웨이퍼 가장자리에서는 용액이 상대적으로 두껍게 쌓이는 edge bead 현상 때문이라고 분석했습니다. 이때 질문이 있습니다. 1. 먼저, 저의 분석이 타당한지가 궁금합니다. 2. 2 cm × 2 cm와 같은 소형 웨이퍼에서도 edge bead 현상이 유의미하게 발생하는지가 궁금합니다. 3.이러한 두께 비균일성이 문턱전압 약 0.4 V 수준의 차이를 유발했다고 보는 해석이 타당한지가 궁금합니다. 현직자분들께서 팩트 검증해주셨으면 좋겠습니다!
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.

