직무 · 삼성전자 / 공정설계
Q. Etch 공정이후 critical dimension
Gate oxide 만들때
Wet이랑 dry 에치 하게되면
Wet은 언더컷 발생해서 cd가 줄어들고
Dry는 selctivity가 좋지않아서 CD가 늘어난다는데
양옆 oxide는 다 제거 되었을텐데
PR 스트립후 CD가 어떻게 더 높아질수가있나요?
답변이 안보이시나요? 직접 질문해보세요.
글자수:
0
/ 500
인기 사례
Q. 삼성전자 DS 파운드리사업부 공정설계직무 PT 면접 관련 질문
안녕하세요. 이번 하반기 삼성전자 DS 파운드리 공정설계 직무에 지원하고자 하는 졸업예정자입니다.
다름이 아니라 PT 면접을 조금 미리 준비해보고 싶은데 엔지닉이나 렛유인에서 나오는 PT 면접 자료가 담긴 책을 구매하여서 읽어보는게 조금이라도 도움이 될지 궁금하여 질문을 남기게 되었습니다.
이 두 책 말고 추천할만한 책이 있다면 알려주시면 너무 감사할 것 같습니다 ㅜㅜ..
Q. DRAM design rule의미
현업에서 DRAM design rule이 어떤 의미를 가지는지 궁금합니다. 가령, 10nm DRAM이라면 gate length가 실제로 그정도 사이즈라는 건가요 아니면 세대를 나타내기 위한 수단인가요..?? 혹은 또 다른 물리적 의미를 가지는 사이즈인가요?
Q. 삼성전자 ds 공정설계
안녕하세요
이번 파운드리 사업부 공정설계 직무와 제조기술담당에서의 공정설계, 두 직무의 차이점에 대해 여쭤보고 싶습니다!
감사합니다