직무 · 삼성전자 / 공정설계

Q. Etch 공정이후 critical dimension

Gate oxide 만들때
Wet이랑 dry 에치 하게되면
Wet은 언더컷 발생해서 cd가 줄어들고
Dry는 selctivity가 좋지않아서 CD가 늘어난다는데

양옆 oxide는 다 제거 되었을텐데
PR 스트립후 CD가 어떻게 더 높아질수가있나요?

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