직무 · 삼성전자 / 공정설계
안녕하세요 현직자님들 질문이 있습니다. RIE ETCH를 2분 간 진행했을 때 Thickness가 3000옴스트롱 이라는 결과가 나왔습니다. 그렇다면, etch rate= etch thickness/etch time (옴스트롱/min)으로 알고 있는데, 결과 값이 3000/2=1500이 나오는 것이 맞는지 궁금합니다. 실습을 진행했는데 값이 크게 나와 계산 방식이 맞는지 궁금합니다.
2023.08.28
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안녕하세요 서성한라인 신소재공학부 재학중인 대학생입니다. 스펙 학교 : 서성한 신소재공학부 전체 학점 : 4.01 (전공학점 : 4.18) 활동 : 서울대학교 2달 연구 인턴 참여, 교환학생 어학 : OPIc IH 자격증 : X 서울대학교 연구 내용 : 반도체 패키징 공정의 하이브리드 본딩 신뢰성에 대해 연구를 했습니다. dishing effect와 열팽창 계수 차이에 따른 접합 문제를 연구했고, ABAQUS라는 시뮬레이션 툴을 활용해서 FEM해석으로 응력 및 misalignment를 분석해 solution을 제공하는 연구였습니다. 원래는 TSP총괄 - 패키지개발 직무로 지원할려 했는데 이번에 직무기술서에 빠져있어서 어디 부서를 지원할지 고민이라 질문드립니다! 찾아본 결과 1. 파운드리 - 반도체공정설계 2. 반도체연구소 - 반도체공정설계 3. 반도체연구소 - CAE시뮬레이션 이 세가지 부서중에 한곳에 지원할려하는데 조언주시면 감사하겠습니다!!
현재 HBM 베이스다이쪽 인력 규모랑, 그쪽에서 사람 많이 필요로 하는지 여쭤보고 싶습니다 .. ! 지원동기에서 제 경험이랑 fit하게 HBM 베이스다이 얘기만 했는데 막상 내부적으로는 HBM 베이스다이 인력 별로 없고 필요도 없는 상황이라면, AP나 다른 제품쪽으로 변경하려고 합니다
안녕하세요 공정설계를 위해 대학원 진학 고민 중인 전자공학과 4학년입니다. 1. 보통 대학원 연구 주제가 공정보단 소자연구가 많던데 이런 경우에도 공정에 대한 기본적인 지식은 배우는 편인가요? 2. 또한 소자 중심 대학원 진학이 공정설계 직무와 연관성이 있는지, 취업 시 문제가 없는지도 궁금합니다. 3. 소자 중심으로 연구하게 된다면 기본적인 화학 개념을 필요로 하나요? 고등학교 때 과학 선택을 생명과학, 지구과학을 선택했어서 걱정되는데 전자공학과에서 배운 개념이면 충분한지 궁금합니다.
안녕하세요 서성한라인 신소재공학부 재학중인 대학생입니다. 스펙 학교 : 서성한 신소재공학부 전체 학점 : 4.01 (전공학점 : 4.18) 활동 : 서울대학교 2달 연구 인턴 참여, 교환학생 어학 : OPIc IH 자격증 : X 서울대학교 연구 내용 : 반도체 패키징 공정의 하이브리드 본딩 신뢰성에 대해 연구를 했습니다. dishing effect와 열팽창 계수 차이에 따른 접합 문제를 연구했고, ABAQUS라는 시뮬레이션 툴을 활용해서 FEM해석으로 응력 및 misalignment를 분석해 solution을 제공하는 연구였습니다. 원래는 TSP총괄 - 패키지개발 직무로 지원할려 했는데 이번에 직무기술서에 빠져있어서 어디 부서를 지원할지 고민이라 질문드립니다! 찾아본 결과 1. 파운드리 - 반도체공정설계 2. 반도체연구소 - 반도체공정설계 3. 반도체연구소 - CAE시뮬레이션 이 세가지 부서중에 한곳에 지원할려하는데 조언주시면 감사하겠습니다!!
현재 HBM 베이스다이쪽 인력 규모랑, 그쪽에서 사람 많이 필요로 하는지 여쭤보고 싶습니다 .. ! 지원동기에서 제 경험이랑 fit하게 HBM 베이스다이 얘기만 했는데 막상 내부적으로는 HBM 베이스다이 인력 별로 없고 필요도 없는 상황이라면, AP나 다른 제품쪽으로 변경하려고 합니다
안녕하세요 공정설계를 위해 대학원 진학 고민 중인 전자공학과 4학년입니다. 1. 보통 대학원 연구 주제가 공정보단 소자연구가 많던데 이런 경우에도 공정에 대한 기본적인 지식은 배우는 편인가요? 2. 또한 소자 중심 대학원 진학이 공정설계 직무와 연관성이 있는지, 취업 시 문제가 없는지도 궁금합니다. 3. 소자 중심으로 연구하게 된다면 기본적인 화학 개념을 필요로 하나요? 고등학교 때 과학 선택을 생명과학, 지구과학을 선택했어서 걱정되는데 전자공학과에서 배운 개념이면 충분한지 궁금합니다.
답변 6
채택된 답변네 맞습니다. 보통 etch는 분단위로 진행하고 nm에서 작으면 옴스트롱까지 다루므로, 3000/2 를해서 1500옴스트롱/min가 맞습니다 ㅎㅎ
채택된 답변Etch Rate에 대해서 살짝 잘못알고 계신거 같아서 답변 남겨드립니다. Etch Rate는 시간당 얼마만큼의 두깨를 식각할 수 있는지를 나타내는 것 입니다. 그래서 Etch Rate를 알기 위해서는 Etch를 2분동안 실시하기 이전에 박막의 두깨를 알아야 합니다. 예를 들어서 10000옴스트롱이었다면 3000옴스트롱이 된 것이니깐 7000옴스트롱을 식각한거고 이를 2(2분)으로 나누면 3500옴스트롱이 됩니다.
채택된 답변안녕하세요 멘티님 RIE 후의 두께가 3000Å이 남았으면, (식각 전 두께-식각 후 두께)를 식각 진행 시간으로 나누어 주시는 것이 맞습니다. 제 답변이 도움이 되었으면 좋겠네요. 항상 목표한 바 이루어지길 바라겠습니다.
채택된 답변저렇게 표기하는게 맞습니다. 초당으로 계산하기도하고. 분당으로 계산하기도 합니다.
안녕하세요 답변드립니다. PRE THK - POST THK 해서 차이가 3000A 이 나왔다는 말씀이신거죠? 그러면 그렇게 계산하시는 게 맞긴합니다. 근데 Incubation Time 이라는게 있기 때문에, 공부해보시면 좋을 듯 합니다.
Etch Rate에 대해서 살짝 잘못알고 계신거 같아서 답변 남겨드립니다. Etch Rate는 시간당 얼마만큼의 두깨를 식각할 수 있는지를 나타내는 것 입니다. 그래서 Etch Rate를 알기 위해서는 Etch를 2분동안 실시하기 이전에 박막의 두깨를 알아야 합니다. 예를 들어서 10000옴스트롱이었다면 3000옴스트롱이 된 것이니깐 7000옴스트롱을 식각한거고 이를 2(2분)으로 나누면 3500옴스트롱이 됩니다.
