회사/산업 · 삼성전자 / 공정설계

Q. High-k, Low-k 질문

윤슬빈

게이트 산화막 두께가 얇아지면서 high-k 물질로 바뀌게 되고 metal gate를 쓰는 과정까지는 이해가 가는데 누설전류를 줄이고자 high-k물질을 게이트 절연막으로 쓰게 되면 RC delay가 발생하는 부분이 이러한 부분인가요? 소자와 소자 사이의 간섭을 막기 위한 절연막으로는 low-k를 써서 RC delay를 막는데 왜 두 개의 k값이 다른건가요ㅠㅠ? 개념이 명확히 정리가 되지 않는 것 같습니다ㅠ


2020.07.05

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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