회사/산업 · 삼성전자 / 공정설계
Q. High-k, Low-k 질문
게이트 산화막 두께가 얇아지면서 high-k 물질로 바뀌게 되고 metal gate를 쓰는 과정까지는 이해가 가는데 누설전류를 줄이고자 high-k물질을 게이트 절연막으로 쓰게 되면 RC delay가 발생하는 부분이 이러한 부분인가요? 소자와 소자 사이의 간섭을 막기 위한 절연막으로는 low-k를 써서 RC delay를 막는데 왜 두 개의 k값이 다른건가요ㅠㅠ? 개념이 명확히 정리가 되지 않는 것 같습니다ㅠ
2020.07.05
함께 읽은 질문
- Q.Lorem ipsum dolor sit amet, consectet
- Q.Lorem ipsum dolor sit amet, consectet
- Q.Lorem ipsum dolor sit amet, consectet
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.

