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Q. 삼성전자 반도체연구소

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석사과정동안 나노선 소자의 전기적 전도특성을 물리적으로 분석하는 연구를 진행하였습니다. 조금 더 구체적으로는 ALD를 이용하여 나노선을 전체적으로 감싸는 Gate all around 구조로 소자 제작하여 나노선 소자 전자 수송현상의 gate 의존성 실험을 진행하였습니다. 반도체 연구소에 DRAM TD, FLASH TD, Logic TD, CIS TD, 차세대 반도체 TD 등 여러 부서가 있는 것으로 알고 있습니다. 직무 관련해서 gate all around 혹은 MBCFET 와 가장 관련있는 부서가 어떤 부서인가요? 그리고 나노선 소자 측정 뿐만아니라 소자 제작도 제 손으로 직접 모든 장비 혼자서 운용하면서 제작해봤습니다. 소자특성분석 그리고 공정 이 두 부분 모두 반도체 연구소 지원 시 어필이 가능한가요?

2021.08.20

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masteric삼성전자
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2021.08.20
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공정설계현직3삼성전자
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2021.08.18
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lIIIIl삼성전자
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2021.08.18
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