직무 · 삼성전자 / 모든 직무
CVD와 DIFF차이는 SINGLE , BATCH설비의 차이라고 들었습니다. 단지 그 차이뿐인가요? DIFF도 예전과 다르게 요즘은 막질을 쌓는 용도라고 하던데.. 이젠 설비의 차이뿐인가요? 아니면 막질의 종류와 용도가 다른가요?
2023.04.22
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멘토님들께 평분 직무관련 몇가지 좀 여쭙고 싶습니다. 여쭤보고 싶은 것은 1. PE가 JD에 나온것처럼 Product Engineer가 맞는지 2. PE가 테스터 엔지니어를 말하는건지 3. 테스터 엔지니어는 Test PGM을 작성하는 업무를 맡게되는지 4. 평분 직무 내에서 메모리 테스터를 직접 사용하는지 가 궁금합니다..!
활동 및 스펙 학점: 4.13/4.5, 오픽 IH, adsp, 학부연구생(패키징연구실 1년3개월), 반도체FAB공정실습1회, 후공정 온라인 교육 수료, 캡스톤디자인설계 우수작품수상, 학술발표대회 포스터 발표 우수논문상(패키징), 교내 프로젝트 2회(각각 금속 표면 분석 및 리플로우 공정 +신뢰성 검사) 올해 하반기 삼성전자 tsp총괄 지원할 신소재공학과 취준생입니다. 제가 24년도(하) jd와 25년도(상)의 jd를 읽어보면서 의문이 생겼습니다. tsp 총괄에서 공정기술쪽을 지원할지 아니면 평가 및 분석에 지원할지 직무 적합도를 보려고 하는데 각각의 requirement나 role에 대한 설명만으로는 명확히 구분이 잘 가지 않네요. 제가 아직 부족한 점이 많아서 그런거겠지만 조언 부탁드립니다.
삼성전자 경력 이직 프로세스에서 cbt를 본다는 것은 기술면접과 인사팀면접에서 합격을 했다는건가요? 혹시 면접까지 다 진행하고 cbt를 안 보는 경우가 있을지 궁금해서 질문드립니다
멘토님들께 평분 직무관련 몇가지 좀 여쭙고 싶습니다. 여쭤보고 싶은 것은 1. PE가 JD에 나온것처럼 Product Engineer가 맞는지 2. PE가 테스터 엔지니어를 말하는건지 3. 테스터 엔지니어는 Test PGM을 작성하는 업무를 맡게되는지 4. 평분 직무 내에서 메모리 테스터를 직접 사용하는지 가 궁금합니다..!
활동 및 스펙 학점: 4.13/4.5, 오픽 IH, adsp, 학부연구생(패키징연구실 1년3개월), 반도체FAB공정실습1회, 후공정 온라인 교육 수료, 캡스톤디자인설계 우수작품수상, 학술발표대회 포스터 발표 우수논문상(패키징), 교내 프로젝트 2회(각각 금속 표면 분석 및 리플로우 공정 +신뢰성 검사) 올해 하반기 삼성전자 tsp총괄 지원할 신소재공학과 취준생입니다. 제가 24년도(하) jd와 25년도(상)의 jd를 읽어보면서 의문이 생겼습니다. tsp 총괄에서 공정기술쪽을 지원할지 아니면 평가 및 분석에 지원할지 직무 적합도를 보려고 하는데 각각의 requirement나 role에 대한 설명만으로는 명확히 구분이 잘 가지 않네요. 제가 아직 부족한 점이 많아서 그런거겠지만 조언 부탁드립니다.
삼성전자 경력 이직 프로세스에서 cbt를 본다는 것은 기술면접과 인사팀면접에서 합격을 했다는건가요? 혹시 면접까지 다 진행하고 cbt를 안 보는 경우가 있을지 궁금해서 질문드립니다
답변 4
채택된 답변CVD(Chemical Vapor Deposition)는 기체상태의 성분을 화학반응을 통해 고체나 액체로 변환시켜 박막을 생성하는 공정입니다. 일반적으로 실리콘 등의 반도체 소자에 적용되며, 고온 고압 환경에서 진행됩니다. CVD는 실리콘 반도체 소자에서 주로 사용되며, 실리콘 나노와이어, 탄소 나노튜브 등의 신소재 제조에도 이용됩니다. 반면, DIFF(Diffusion)는 고온 상태에서 고체 상태의 재료에서 다른 고체나 액체로 물질이 이동하면서 박막을 생성하는 공정입니다. DIFF 공정은 주로 실리콘 웨이퍼에 응용되며, 소자 내부에 불순물을 도입하거나 반도체 소자의 결합 구조를 형성하는 등의 용도로 사용됩니다. DIFF 공정에서 생성되는 막질은 다양한 종류가 있습니다. 일반적으로는 광학적 특성이나 전기적 특성에 따라 구분됩니다. 최근에는 반도체 산업에서는 CVD와 DIFF 공정을 함께 사용하는 경우가 많아졌습니다. 이는 CVD 공정으로 더 얇은 박막을 만든 다음, DIFF 공정으로 불순물을 도입하여 반도체 소자의 특성을 조절하는 등의 용도로 사용됩니다. 따라서, CVD와 DIFF는 공정 방법이 다르며, 그 용도도 다르지만, 최근에는 두 가지 공정을 함께 사용하는 경우도 있습니다.
안녕하세요 멘티님! 저도 이 부분은 잘 모르겠어서... 인터넷에서 찾아서 답변을 드려야 할거같아요 ㅠㅠ! CVD와 Diffusion은 둘 다 반도체 제조 공정에서 사용되는 기술로, 막질을 쌓는 목적에서는 공통점이 있지만, 기술의 원리, 설비, 용도, 그리고 막질의 종류 등에서 차이가 있다고 합니다..!! 원리: CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학기상증착)는 기체 혹은 증기 상태의 전구체를 화학반응을 통해 고체로 증착시키는 기술입니다. 일반적으로 전구체는 반응성 있는 기체와 물질 사이에서 화학반응을 일으켜 고체 막을 생성합니다. Diffusion(인공 확산)은 고체 상태의 물질이 확산체에 투입되어 확산체 내의 물질 농도를 균일하게 만들어주는 기술입니다. 일반적으로 고체 물질이 액체나 기체 상태로 되어있는 확산체에 투입되어 물질이 표면을 따라 움직이면서 균일한 농도를 형성합니다. 설비: CVD는 반응성 기체 또는 증기를 공급하고 적절한 화학반응 조건을 조절하는 장비가 필요합니다. 이를 통해 고체 막이 증착됩니다. CVD 설비는 여러 가지 형태와 크기가 있으며, 반도체 제조에서는 플라즈마 CVD, 열적 CVD, 압력 차 CVD 등 다양한 형태가 사용됩니다. Diffusion은 물질을 확산체에 투입하고, 적절한 온도와 시간을 조절하여 물질의 확산을 일으키는 장비가 필요합니다. Diffusion 설비는 일반적으로 가열로나 플라즈마 등을 사용하여 물질을 처리하는 장비가 사용됩니다. 용도: CVD는 반도체 제조 공정에서 다양한 용도로 사용됩니다. 예를 들어 반도체 소자의 절연막, 금속 막, 반도체 증폭 등에 사용됩니다. Diffusion은 반도체 제조 공정에서 주로 물질의 농도를 조절하는 용도로 사용됩니다. 반도체 소자의 도핑(막질 삽입) 과정, 특정 영역의 저항값 조절, 반도체 소자의 구조 제어 등에 사용되는 부분이라고 합니다! 도움이 되셨다면 좋겠습니다..!!
