Q. ETCH RATE (AHSING)

답변 5

• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 78% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  보통 mTorr단위로 모듈마다 제품마다 세팅레시피가 다릅니다. 이 수치는 정확히 몇이다 대외비라 알려주실수있으실분이 많이없으나 수십~수백 정도로 생각하심됩니더!

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  댓글 1

  l

  liliiilil

  작성자

  2024.09.21

  압력을 낮게 가져가는 이론적인 이유가 있을까요?

• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

  회사

  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 대외비 사항이라 다른 멘토들도 말 못할 거예요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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• 3

  3분커리er삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 50% ∙

  회사

  일치

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  대외비라 현직자중에 대답해주실수있는분은 많이 안계실듯 합니다 ㅠ

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• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 82% ∙

  회사

  일치

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  지원자님~ O2 플라즈마 애싱 공정에서 압력 세팅은 장비나 조건에 따라 조금씩 달라질 수 있지만, 일반적으로 100300 mTorr 범위로 설정하는 경우가 많아요! 이 범위 내에서 플라즈마 생성 효율과 에칭 속도가 적절하게 나오는 편이죠. 하지만 실험 목적이나 공정에 따라 더 낮거나 높게 조정할 수도 있으니, 원하는 결과에 맞춰 테스트하면서 최적의 조건을 찾아가는 게 중요해요~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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• 메

  메에모리삼성전자

  코상무 ∙ 채택률 49% ∙

  회사

  일치

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  한 100에서 300 사이로 하지 않나요? 상황에 따라 다를 것 같아요.

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