대학생활 · 삼성전자 / 회로설계
Q. DRAM 기술의 원리에 대해 질문드립니다.
안녕하세요. 방학동안 DRAM에 대해서 공부하고 있는 학생입니다. 여기에 취업질문이 아닌 공부 질문을 드려도 되는지 모르겠지만, 혼자 공부하며 모르는 부분을 해결하기 어려워서 질문글을 남깁니다. 1. 커패시터를 모스펫의 Drain부분에 달기도 하고 Source 부분에 달기도 하나요? Source 부분에 Cap이 연결된다고 생각했는데 다르게 설명하는 글도 있어서 질문드립니다. 2. DRAM에서 Write 작업을 할 때 비트라인에 있는 값을 그대로 Cap에 저장을 하던데, 소스팔로워와 비슷하게 동작하는 것인가요? 3. Read 작업의 경우에는 Cap에 1이 저장되어 있으면 비트라인으로 전하가 흐르고, Cap에 0이 저장되어있으면 Cap으로 전하가 흐르는데 이 과정은 모스펫의 어떤 원리에 의해 일어나는지 궁금합니다. 제가 배운 모스펫의 기능은 증폭과 스위치 기능인데, 둘 다에 해당하지 않는 것 같습니다. 감사합니다.
2022.02.23
답변 4
- mmasteric삼성전자코부사장 ∙ 채택률 76% ∙일치회사
1.사실 source drain은 physical하게는 전원을 어디에 연결하느냐에 따라 갈리는거라 어디든 두어도 상관없습니다. 2.넵 인풋정보를 그대로 저장한다고 보시면 됩니다. 3.스위치 동작원리랑 정확리 같습니다.
취업 멘토 털보아저씨삼성전자코상무 ∙ 채택률 66% ∙일치회사멘티님 안녕하세요! 이공계 취업 멘토 털보아저씨입니다. 1. 네 d나 s에 둘다 tank cap 연결 가능합니다. 다만, 패턴은 일정해야 하므로 d 또는 s 한곳으로 맞춰야 합니다. 2. 네 맞습니다. 소스팔로워처럼 비슷하게 동작합니다. 3. mosfet의 동작원리가 채널을 형성해서 캐리어를 흘러가게 되는 것입니다. 똑같이 gate에 Vth이상의 전압을 인가하여 fet가 채널을 형성합니다. 형성된 채널을 통해서 Cap에서 전하가 빠져나가거나 들어오면서 전류가 흐르게 되는데 이를 통해서 1, 0 값을 인식합니다.
- 일일레크삼성전자코이사 ∙ 채택률 69% ∙일치회사
안녕하세요 삼성전자 현직자입니다. 1. 커패시터를 모스펫의 Drain부분에 달기도 하고 Source 부분에 달기도 하나요? Source 부분에 Cap이 연결된다고 생각했는데 다르게 설명하는 글도 있어서 질문드립니다. - 네 맞습니다. 드레인 부분 혹은 소스 부분에 연결을 시키는데, - 일반적으로는 한 곳으로 딱 정해놓고 일관되게 설계를 진행합니다. 2. DRAM에서 Write 작업을 할 때 비트라인에 있는 값을 그대로 Cap에 저장을 하던데, 소스팔로워와 비슷하게 동작하는 것인가요? - 쓰기 동작은 단순히 비트라인에 있는 것을 스위치처럼 혹은 수도꼭지 벨브처럼 열어줘서 캡에 전류가 흐르도록 하는 것입니다. - 소스팔로워 동작 이런 것과 비슷한지 가늠해보는 것도 좋지만 너무 어렵게 생각하지 말고 쉽게 생각하시는게 좋습니다. 3. Read 작업의 경우에는 Cap에 1이 저장되어 있으면 비트라인으로 전하가 흐르고, Cap에 0이 저장되어있으면 Cap으로 전하가 흐르는데 이 과정은 모스펫의 어떤 원리에 의해 일어나는지 궁금합니다. 제가 배운 모스펫의 기능은 증폭과 스위치 기능인데, 둘 다에 해당하지 않는 것 같습니다. - 모스펫을 스위치 처럼 열어줘서 캡에 있는 데이터를 바깥으로 빼내는 작업입니다. 그럼 잘 준비하시고 회사에서 뵙겠습니다 :)
- wwhocanstopmenow어플라이드머티어리얼즈코부사장 ∙ 채택률 66%
1 네 2 네 3 이부분은 어떤 소자 원리에서 진행되는지 소자 구조를 보아야할것 같습니다.
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