Q. HBM 산업에 있어 삼성전자가 하이닉스에 비해 유리한 점

답변 5

• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 78% ∙

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  채택된 답변

  tc ncf가 mr muf대비 좋은 점은 한장씩 깔고 베이킹하므로 적층구조가 높아질수록 안정적인 장점이 있습니다. 그러나 현재 아시다싶이 엔비디아에 삼성은 퀄통과를 못한상태입니다. 즉 하이닉스 기술력이 더 우수한 상태이고 추후 d1b d1c를 사용해 stack을 쌓을텐데 집적도도 하이닉스수율이 더 잘 나오고 있는 상태라 사실.. 하이닉스품질 및 수율이 더 좋습니다...

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• 황

  황금파이프삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 77% ∙

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  안녕하세요. 삼성전자와 하이닉스 HBM의 메인기술 차이를 보면 삼성전자는 NCF, 하이닉스는 MUF 기술을 활용하고 있습니다. 자세한 차이는 추가로 구글링 해보시면 좋을 것 같습니다. 회로설계 쪽에서는 잘 모르겠지만, 당장 생산성은 MUF, 고층은 NCF가 유리하고 HBM이 점점 개발되면서 적층 높이가 높아질 거라서 나중에는 삼성에서 밀고 있는 NCF가 유리하다고 하는데 당장 하이닉스에 밀리고 있고, 하이닉스도 이에 대비할 것이므로 어떻게 될지 미래는 장담 못하겠네요.

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• 도

  도다리쑥국삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 58% ∙

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  회로 설계부분은 각자 회사의 기밀사항(대외비)이니 비교하기 어렵고요. 기술적인 면 보다는 회사 자체의 특징을 봤을 때 삼성전자가 하이닉스보다 양산 등 규모 자체가 크고, 파운드리 산업을 병행한다는 특징이 아무래도 가장 큰 차이죠. 이게 HBM '산업'에 있어서 유리하게 작용할 수도 있겠네요. 최신 기사에 ( 이정배 HBM 파운드리 ) 이런 키워드로 검색하시면 1일 전 기사 뜰겁니다. 참고하시면 도움 될 거 같아요

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• 

  안경공대남삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 65% ∙

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  일치

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  안녕하세요. 아니요.. 모든 면에서 딸리는게 팩트고요 ㅎ.. 설계/공정 모든 면에서요.. 좋은점은 원가절감 뿐입니다.

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• M

  Memory Department삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 82% ∙

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  안녕하세요! 삼성전자가 HBM 산업에서 하이닉스에 비해 유리한 점에 대해 말씀드릴게요. 삼성전자는 특히 적층 단계에서 높은 기술력을 보유하고 있습니다. HBM 기술에서 적층 단계가 높아질수록 데이터 전송 대역폭과 메모리 성능이 향상되는데, 삼성은 높은 적층 기술을 통해 더 많은 데이터 전송과 더 빠른 속도를 제공할 수 있습니다. 이로 인해 삼성전자가 성능 면에서 우위를 점하고 있죠. 회로 설계 구조 측면에서는 삼성전자가 유리한 부분도 많습니다. 삼성전자는 미세 공정 기술과 혁신적인 설계 솔루션을 통해 회로의 집적도와 성능을 높이고, 전력 소모를 줄이며, 열 관리를 효율적으로 할 수 있습니다. 이런 기술적 우위는 HBM의 성능을 더욱 향상시키는 데 기여하죠~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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