직무 · SK하이닉스 / 공정개발
1. Gate Stack 형성 시 IL(Interfacial Layer, SiO₂) 질화 공정은 필수인가요? •Thermal Nitridation or Plasma Nitridation 방식인지도 궁금합니다. 2.High-k 물질(HfSiO, HfO₂ 등)에 대해서도 질화 공정이 필수인가요? •만약 한다면, 목적은 trap passivation인가요? 또는 유전율 안정성인가요?
2025.07.16
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.
지거국 화학과 졸업했고 서울대에서 화학 석사 받았습니다. 학부는 지거국 하위권이고 4점대 이상 성적으로 조기졸업 했습니다. 석사는 무기화학 전공이고 학점은 좀 낮긴한데(3점대 초반) 대학원 학점은 크게 중요치 않다고 해서 신경은 안쓰고 있습니다. 대신 SCI급 논문 두 편 1저자로 내서 괜찮다고 생각했는데 생각보다 서류탈락이 계속되어 질문드립니다. 영어는 토스 AL급입니다. 다른 분들 스펙 보니까 이런저런 인턴이나 교육이 많던데 저는 공부말고는 아무것도 안하긴 했습니다..ㅜ 스펙이 정량적으로 미달인건지 아니면 다른 것이 문제인지 잘 모르겠습니다.. 이정도 스펙으로는 추가적인 스펙을 쌓아도 대기업 어려울까요? 선배님들 의견 알려주시면 감사하겠습니다.
하이닉스 JD에 ∙ DMI/Defect & Metrology - 제품 개발과 양산 공정에서 발생하는 Defect를 분석하고 Metrology/Inspection을 관리하여, 제품 수율과 품질을 향상시키고 원가 경쟁력을 확보합니다. 라고 나와있는데, 여기서 말하는 defect이 소재 내 oxygen vacancy 등 과 같은 defect인지 불순물이나 misalign에 의한 구조적 defect을 말하는 것인지 궁금합니다.
R&D에서 개발한 기술을 양산 가능한 수준으로 가공하고 Fab에 이관하는 직무라면 하이닉스랑 삼성전자에선 어떤 직무일까요?
지거국 화학과 졸업했고 서울대에서 화학 석사 받았습니다. 학부는 지거국 하위권이고 4점대 이상 성적으로 조기졸업 했습니다. 석사는 무기화학 전공이고 학점은 좀 낮긴한데(3점대 초반) 대학원 학점은 크게 중요치 않다고 해서 신경은 안쓰고 있습니다. 대신 SCI급 논문 두 편 1저자로 내서 괜찮다고 생각했는데 생각보다 서류탈락이 계속되어 질문드립니다. 영어는 토스 AL급입니다. 다른 분들 스펙 보니까 이런저런 인턴이나 교육이 많던데 저는 공부말고는 아무것도 안하긴 했습니다..ㅜ 스펙이 정량적으로 미달인건지 아니면 다른 것이 문제인지 잘 모르겠습니다.. 이정도 스펙으로는 추가적인 스펙을 쌓아도 대기업 어려울까요? 선배님들 의견 알려주시면 감사하겠습니다.
하이닉스 JD에 ∙ DMI/Defect & Metrology - 제품 개발과 양산 공정에서 발생하는 Defect를 분석하고 Metrology/Inspection을 관리하여, 제품 수율과 품질을 향상시키고 원가 경쟁력을 확보합니다. 라고 나와있는데, 여기서 말하는 defect이 소재 내 oxygen vacancy 등 과 같은 defect인지 불순물이나 misalign에 의한 구조적 defect을 말하는 것인지 궁금합니다.
R&D에서 개발한 기술을 양산 가능한 수준으로 가공하고 Fab에 이관하는 직무라면 하이닉스랑 삼성전자에선 어떤 직무일까요?
답변 1
Gate Stack 형성 시 IL질화 공정은 HKMG 게이트 스택에서 인터페이스 결함 감소 및 신뢰성 확보를 위해 일반적으로 필수적으로 이루어집니다. 이때 Plasma Nitridation과 Thermal Nitridation 두 방식 모두 활용될 수 있는데, 실리콘 표면에 질화층을 도입하여 High-k 물질과의 계면 반응을 억제하고 Trap을 줄이는 목적이 큽니다. High-k 물질(HfSiO, HfO₂ 등)에 대해서도 질화 공정은 많이 적용되고 있으며, Trap passivation과 유전율 안정성 두 목적 모두 중요하게 고려됩니다. 특히, 질화 처리는 산소 결함(Oxygen Vacancy) 채움과 Trap 저감, 그리고 High-k 재료의 물성(유전율, 신뢰성) 향상에 기여하는 것으로 보고됩니다. 따라서 DRAM HKMG 공정에서 IL 및 High-k 절연체 모두 질화처리가 매우 중요한 공정 단계로 선택되고 있으며, Plasma Nitridation(RFN)이나 Thermal Nitridation(암모니아 열처리 등)이 요구 공정에 맞게 병행·적용되는 게 일반적입니다. 채택부탁드립니다!
