Q. sk하이닉스 면접 준비 중 질문입니다. (양산기술 피앤티)

답변 4

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  회로설계 멘토 삼코치삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 81%

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  채택된 답변

  안녕하세요, 회로설계 멘토 삼코치 입니다:) 이 부분은 면접에서 충분히 “한 단계 더 파고드는 꼬리 질문”이 나올 수 있는 포인트이고, 오히려 그 질문이 나오면 좋은 신호에 가깝습니다. 이유는 면접관 입장에서 “이 사람이 실제로 해봤는지, 공식까지 이해하고 있는지”를 확인하려는 의도이기 때문입니다. 결론부터 말씀드리면 지금 준비하신 답변은 방향은 맞지만, 현업 기준에서는 “조금 얕은 답변”으로 보일 수 있습니다. 반드시 수식까지 자연스럽게 이어서 설명할 수 있어야 합니다. 산화막 두께 계산은 기본적으로 평행판 커패시터 모델을 사용합니다. 구조를 보면 Metal–Oxide–Semiconductor 구조에서 산화막은 유전체 역할을 하기 때문에, 정전용량은 다음 관계로 표현됩니다. Cox = eps_ox * A / tox 여기서 Cox: 산화막 정전용량 eps_ox: 산화막 유전율 (eps_ox = eps_0 * k, k≈3.9 for SiO2) A: 커패시터 면적 tox: 산화막 두께 이 식을 두께 기준으로 정리하면 tox = eps_ox * A / Cox 이렇게 됩니다. 그래서 면접에서는 이런 식으로 답변하시면 가장 좋습니다. “CV 측정에서 accumulation 영역에서의 최대 정전용량을 Cox로 보고, 이를 평행판 커패시터 모델인 Cox = eps_ox * A / tox 관계식에 대입하여 tox = eps_ox * A / Cox 형태로 산화막 두께를 계산했습니다.” 여기서 한 단계 더 들어가면 확실히 차별화됩니다. 면접관이 추가로 물을 수 있는 포인트는 보통 세 가지입니다. 첫 번째는 “왜 accumulation에서 값을 쓰나요?”입니다. 이 질문에는 “accumulation 영역에서는 표면에 다수 캐리어가 충분히 모여서 depletion layer가 사라지고, 측정된 정전용량이 순수 산화막 정전용량 Cox에 가까워지기 때문입니다.” 이렇게 답변하시면 됩니다. 두 번째는 “주파수 영향 고려했나요?”입니다. 현업에서는 이걸 꽤 중요하게 봅니다. “high frequency CV에서는 inversion 영역에서 캐리어가 응답하지 못해 capacitance가 감소할 수 있기 때문에, Cox 추출은 accumulation 영역에서 수행하는 것이 일반적입니다.” 이 정도만 말해도 충분합니다. 세 번째는 “오차 요인은 뭐가 있나요?”입니다. 여기까지 대비하면 거의 완벽합니다. 예를 들어 면적 측정 오차 fringing field 영향 oxide non-uniformity interface trap 영향 이 정도만 언급해도 실제 실험 해본 사람으로 인식됩니다. 비유를 드리면, 지금 질문자분 답변은 “요리했다” 수준이고, 수식까지 말하면 “레시피와 재료 비율까지 설명하는 수준”입니다. 면접에서는 후자를 훨씬 신뢰합니다. 중요한 포인트는 “소자 직무가 아니라서 깊게 안 물어보겠지”라고 생각하시면 위험합니다. 오히려 양산기술/공정기술에서는 “얕은 지식인지 실제 경험인지”를 구분하려고 기본 개념을 더 집요하게 확인하는 경우가 많습니다. 정리하면, Cox = eps_ox * A / tox tox = eps_ox * A / Cox 이 수식은 반드시 말할 수 있어야 하고, accumulation에서 측정하는 이유까지 연결하면 면접 대응은 충분히 완성됩니다. 더 자세한 면접 컨텐츠를 원하신다면 아래 링크 확인해주세요 :) https://careerxp.work/ebooks/3ed2971d-9b52-40d6-8694-072f59f48d35

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  채택스포스코

  코전무 ∙ 채택률 79%

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  안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. 말씀하신 정도는 충분히 나올 수 있는 질문입니다. 양산기술 피앤티에서는 공정을 아주 깊게 파는 것보다도 본인이 한 실습을 얼마나 정확하게 이해하고 있는지 확인하는 흐름이 많습니다. 그래서 산화막 두께를 어떻게 구했는지 물으면 단순히 공식을 외웠는지보다 왜 그 식을 썼는지 정도는 이어서 물어볼 가능성이 있습니다. 다만 소자 연구처럼 끝까지 수식 전개를 깊게 파는 경우보다는 측정값과 해석이 맞는지 정도를 보는 편이라서 너무 겁내실 필요는 없습니다. 답변하실 때는 최대 정전용량을 기준으로 산화막 정전용량을 구했고 측정 면적과 산화막 유전율을 이용해 두께를 환산했다고 말씀하시되 실습에서 사용한 조건과 측정 흐름까지 짧게 덧붙여보시면 좋습니다. 추가 질문이 들어오면 면접관은 보통 식 자체보다도 CV 곡선에서 왜 그 구간을 잡았는지 산화막 두께가 변하는 요인이 무엇인지 도핑농도와는 어떻게 연결되는지 정도를 확인하려고 할 가능성이 큽니다. 그래서 계산 결과만 외우기보다는 MOS 구조에서 산화막이 커패시터처럼 동작한다는 점과 축적 영역에서 최대 정전용량을 읽었다는 흐름을 잡아두시면 됩니다. 너무 길게 설명하지 마시고 제가 측정한 값에서 추출한 최대 정전용량을 이용했고 면적과 유전율로 두께를 환산했습니다 정도로 정리해두신 뒤 구체 질문이 오면 측정 조건과 계산 순서를 차분하게 말씀하시면 충분합니다. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.

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  방산러LIG넥스원

  코차장 ∙ 채택률 94%

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  안녕하세요. 결론부터 말씀드리면, 그 정도로 말하면 거의 100% 추가 질문 들어옵니다. “관계식으로 계산했다”까지는 누구나 할 수 있는 답이라, 실제로 해봤는지 확인하려고 식이나 변수 의미를 물어볼 가능성이 높습니다. 예를 들어 “C = ε·A/t 관계를 이용해서 t = ε·A/C로 계산했다” 정도는 바로 말할 수 있어야 안전합니다. 여기서 ε(유전율), A(면적), C(정전용량) 각각 의미까지 간단히 설명 가능하면 충분합니다. 그리고 더 깊게 들어와도 보통은 “왜 CV로 측정 가능한지”, “오차 요인은 뭐였는지” 정도까지입니다. 양산기술 직무라서 소자처럼 깊게 파진 않지만, “겉핥기인지 실제 경험인지”는 꼭 체크합니다. 그래서 팁은 공식 1개 + 변수 의미 + 실험 과정 한 줄 이 3개만 준비하시면 웬만한 꼬리질문은 커버됩니다. 지금 내용 자체는 좋은 경험이라, 조금만 보완하면 충분히 어필됩니다. 응원합니다.

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  합격 메이트삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 82%

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  채택된 답변

  멘티님. 안녕하세요. ​SK하이닉스 양산기술 직무 면접에서 본인이 직접 수행한 데이터 산출 과정을 묻는 질문은 직무 적합성뿐만 아니라 경험의 진실성을 검증하기 위한 매우 빈번한 유형입니다. 산화막 두께 계산에 사용한 정전용량 공식처럼 기본적인 물리적 관계식을 명확히 숙지하고 있다면 꼬리 질문에도 충분히 대처할 수 있습니다. ​소자 직무가 아니더라도 본인이 이력서에 기술한 활동에 대해서는 기술적 근거를 바탕으로 답변할 수 있어야 엔지니어로서의 신뢰감을 줄 수 있습니다. 구체적인 수식의 변수 의미와 측정 환경에서의 변수를 함께 정리해 두시면 어떤 추가 질문이 들어와도 당황하지 않고 단호하게 본인의 전문성을 증명할 수 있습니다. ​응원하겠습니다.

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