Q. SK하이닉스 Diffusion과 Thin Film 부서에 대해 질문입니다.

답변 5

• 멘

  멘토 지니KT

  코상무 ∙ 채택률 61%

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  채택된 답변

  ● 채택 부탁드립니다 ● 보통 반도체 공정에서 배우는 산화막 질화막 증착 공정은 SK하이닉스 기준으로 Thin Film 영역에 더 가깝다고 보시면 됩니다. CVD ALD PVD 같은 Deposition 공정들이 대표적으로 포함되고 산화막 질화막 형성도 여기서 많이 다룹니다. Diffusion은 이름처럼 열처리 기반 공정 비중이 큽니다. 산화 확산 어닐링 등을 담당하며 웨이퍼 특성 변화와 열 공정 최적화에 집중하는 경우가 많습니다. 그리고 Thin Film 안에는 Metal 공정도 포함되는 경우가 많습니다. 특히 금속 배선 형성을 위한 Metal Deposition PVD Barrier Seed 공정 등이 Thin Film 조직 안에 같이 운영되는 케이스가 많습니다.

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• 다

  다할수있습니다큐비앤맘

  코이사 ∙ 채택률 58%

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  채택된 답변

  조금이라도 도움이 되셨다면 채택 부탁드립니다 ~~~~ 보통 말씀하신 산화막, 질화막 같은 절연막 증착은 Thin Film 쪽으로 들어가는 경우가 많습니다. 실제 현업에서도 CVD, ALD, PVD 기반 증착 공정들은 대부분 Thin Film 조직에서 다루는 경우가 많고 Metal 공정도 포함되는 경우가 많습니다. 반면 Diffusion은 이름 그대로 열처리 기반 공정 성격이 강해서 산화, 확산, 어닐링 같은 Furnace 공정 중심으로 운영되는 경우가 많습니다. 그래서 Gate Oxide처럼 열산화 기반 공정은 Diffusion에서 다루기도 합니다. 즉 회사마다 조직 구분은 조금 다르지만 일반적으로는 Thin Film = 증착 중심 Diffusion = 열처리 및 산화 중심 으로 이해하시면 방향 잡기 좋습니다. 면접에서는 공정 이름 암기보다 왜 해당 막을 형성하는지, 절연막과 Metal 특성 차이, CVD PVD ALD 차이를 이해하는 게 더 중요합니다.

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• 

  합격 메이트삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 78%

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  채택된 답변

  멘티님. 안녕하세요. ​SK하이닉스 공정 구조에서 산화막과 질화막을 증착하는 작업은 주로 Diffusion 부서와 Thin Film 부서가 막질의 종류나 형성 방식에 따라 나누어 담당합니다. 고온 환경에서 웨이퍼 표면을 반응시켜 막을 키우는 열산화 방식은 Diffusion에서 맡고 외부 물질을 기화시켜 쌓는 방식은 Thin Film 영역에 해당합니다. ​일반적인 금속 배선 공정인 Metal 공정은 말씀하신 대로 얇은 막을 입히는 특성상 Thin Film 부서 내에서 함께 관리하는 체계로 운영합니다. 따라서 두 부서는 장비와 공정 원리가 유사한 부분이 많으므로 채용 준비 시에는 증착의 세부 메커니즘을 정확히 구분하여 이해하는 과정이 매우 중요합니다. ​응원하겠습니다.

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• P

  PRO액티브현대트랜시스

  코전무 ∙ 채택률 100%

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  반도체에서 산화막 질화막 금속막 등을 형성하는 증착 공정은 보통 Thin Film 공정 영역으로 묶이는 경우가 많습니다. 그래서 CVD PVD ALD 같은 증착 장비를 다루는 부서가 Thin Film 조직으로 운영되는 회사들이 많고 공정기술 장비기술 평가분석과 연결되어 움직입니다. 산화막 질화막은 절연막 형성 목적이 많고 Metal 공정은 배선 전극 형성 목적이 강하지만 실제로는 모두 막을 형성하는 과정이라 Thin Film 범주 안에 포함되는 경우가 많습니다. 다만 회사마다 조직 구분은 조금 달라서 Metal을 별도 배선 공정으로 분리하기도 하고 CMP 식각과 함께 묶는 경우도 있습니다.

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• R

  Reminisen5SK하이닉스

  코차장 ∙ 채택률 45% ∙

  회사

  일치

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  안녕하십니까? lg전자에서 기구설계 업무를 했으며, 현재 sk하이닉스 기반기술 직무로 재직중인 reminiscence입니다. 박막 내에 금속 배선, ald등의 부서가 나눠져있다고 생각해요 도움이 되셨다면 채택 부탁드립니다.

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