직무 · 삼성전자 / 공정기술
안녕하세요 현직자님, 삼성전자가 파운드리를 키우기 위해 차세대 EUV인 High NA EUV 장비 2대를 투입했다고 하는데 혹시 왜 메모리사업부에는 도입을 안하는지가 궁금합니다. 현재 포토공정은 더 이상 발전 할 수 없을 정도로 개발이 거의 다 된 상황이라고 들었는데 차세대 기술을 사용해서 문제점을 개발하는 편이 나은게 아닐지.. 전문가님 입장에서 배우고 싶습니다. 감사합니다
2026.03.06
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안녕하세요 삼성전자 메모리 사업부 공정기술에 지원한 취준생입니다. 제가 면접을 준비하면서 자소서를 다시 봤는데 HBM 수율향상을 타겟팅해서 적었더라고요... 근데 면준을 하려 자세히 찾아보니 hbm은 전공정과 그다지 관련이 없다는 정보를 알게되었습니다. 포토 공정을 타겟팅하려는데 hbm에 사용될 dram의 수율을 높여 hbm 수율을 높이겠다는 흐름으로 면접 답변을 준비해도 될까요?
공정기술 직무를 희망하는데 석사로서 차별화된 경쟁력이나 강점으로 가지고 갈 수 있는 건 어떤 게 있을까요? 논문내는 걸 최우선으로 생각하면 될까요? 그리고 공채지원시 석사는 석사끼리 경쟁을 하는 건지 학사와 함께 하는 건지도 궁금합니다.
안녕하세요 현직자님, 삼성전자 공정기술에서 포토쪽으로 관심이 있는 취준생입니다. 제가 이를 위해 소자 전달곡선 분석과 포토 공정 실습, 데이터 분석능력을 쌓아왔습니다. 포토공정은 주어진 레시피대로 포토공정 실습 후 공정능력지수로 판단해 이슈를 해결하는 직무로 알고 있는데 소자 분석이 업무에 도움이 되는지 궁금합니다. 전, 후공정 이후 만들어진 소자도 평가를 하는 건가요?
안녕하세요 삼성전자 메모리 사업부 공정기술에 지원한 취준생입니다. 제가 면접을 준비하면서 자소서를 다시 봤는데 HBM 수율향상을 타겟팅해서 적었더라고요... 근데 면준을 하려 자세히 찾아보니 hbm은 전공정과 그다지 관련이 없다는 정보를 알게되었습니다. 포토 공정을 타겟팅하려는데 hbm에 사용될 dram의 수율을 높여 hbm 수율을 높이겠다는 흐름으로 면접 답변을 준비해도 될까요?
공정기술 직무를 희망하는데 석사로서 차별화된 경쟁력이나 강점으로 가지고 갈 수 있는 건 어떤 게 있을까요? 논문내는 걸 최우선으로 생각하면 될까요? 그리고 공채지원시 석사는 석사끼리 경쟁을 하는 건지 학사와 함께 하는 건지도 궁금합니다.
안녕하세요 현직자님, 삼성전자 공정기술에서 포토쪽으로 관심이 있는 취준생입니다. 제가 이를 위해 소자 전달곡선 분석과 포토 공정 실습, 데이터 분석능력을 쌓아왔습니다. 포토공정은 주어진 레시피대로 포토공정 실습 후 공정능력지수로 판단해 이슈를 해결하는 직무로 알고 있는데 소자 분석이 업무에 도움이 되는지 궁금합니다. 전, 후공정 이후 만들어진 소자도 평가를 하는 건가요?
답변 6
안녕하세요 멘티님, 취업한파속 고생 많습니다. 대규모 설비도입, 결정과 같은 부분을 일개 직원이 일일이 알수없는것이 현실이지만, 기본적인 틀은 알고계신것 처럼 산업 동향적인 부분에서 포토공정의 발전이 상대적으로 타공정에 비해 더딘것은 사실입니다. 사업부별 현재 동향이 다른 부분이 가장 클것이라 판단되네요, 메모리와 파운드리사업부는 처해진 업계 상황/ 경쟁력/수율/경쟁사 등이 너무 다르기에 그렇습니다..
안녕하세요. 대외비라 자세한건 말씀드리기어려운데 메모리제품과 파운드리선단공정의 단위공정 node를 조사해봤으면 합니다. 파운드리선단공정이 압도적으로 작은데 High NA EUV의 경우 아직 초창기라 기술적으로 부족하여 메모리까지는 적용하지 않습니다. 다만 파운드리는 공정 node문제로 인해 도입을 해야하는 상황입니다.
비용이 첫번째 문제입니다. AMSL EUV는 장비 1대 가격이 수천억대 입니다. 파운드리의 선폭이 훨씬 작기도 하고, 다른 여러가지 기법으로 극복하는것이 경제적으로 합리적으로 판단했기 때문입니다 하지만 메모리도 선폭이 작아질수록 EUV를 쓰게될 확률이 높습니다 도움되셨다면 채택 부탁드립니다
먼저 채택한번 꼭 부탁드립니다!! 현재 **삼성전자가 차세대 노광 장비인 High‑NA EUV를 우선적으로 삼성전자 파운드리 사업부에 도입한 이유는 공정 미세화 요구 수준과 경제성 차이 때문입니다. 파운드리의 경우 2nm 이하 로직 공정에서는 패턴 피치가 매우 작아지기 때문에 기존 EUV lithography만으로는 멀티패터닝이나 공정 복잡도가 급격히 증가합니다. 반면 **삼성전자 메모리 사업부의 DRAM과 NAND Flash는 구조적으로 로직 대비 패턴 요구가 다르고, 특히 NAND는 수직 적층 중심이라 노광 미세화 필요성이 상대적으로 낮습니다. 또한 High-NA EUV는 장비 가격, 공정 안정성, 마스크 생태계 등 아직 초기 단계이기 때문에 대량 생산 중심의 메모리에서는 투자 대비 효과가 제한적일 수 있습니다. 따라서 현재는 로직 공정에서 먼저 활용해 기술 성숙도를 높이고, 향후 메모리에서도 필요성이 커질 경우 단계적으로 적용하는 전략으로 이해하는 것이 일반적입니다.
안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 메모리 소자의 경우 미세화에 한계가 있어요 그래서 파운드리에 투자하는거에요 파운드리는 미세화가 중요하거든요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
메모리사업부 의euv도 충분히 지금 부족한 상태에요 ㅎㅎ 다만 미세선폭인 노드자체가 디램대비 파운드리가 더 작습니다. 요즘 엑시노스2600이 sf2p 2nm공정인것처럼 (기사에있어요 ㅎ) 디램은 아직 한자릿수 nm가아닙니다 ㅎ 2자릿수라서..선폭은 파운드리가 더 필요한 상황입니다. 메모리도 euv충분히 필요하나 장비대가 거의 2 3천억이에요 ㅎㅎㅎ
