Q. 삼성전자 DRAM의 미세공정

답변 4

• r

  radish삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 77% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  안녕하세요 커패시터 유무에 따라 선폭이 많이 다릅니다. 따라서 메모리에는 euv도 아직 많이 도입되지 않았습니다.

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• 킹

  킹재용삼성전자

  코과장 ∙ 채택률 73% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  시스템 반도체를 보통 수주받는 파운드리, 말 그대로 메모리를 만드는 메모리사업부.. 가장 큰 차이는 공정에 캐패시터를 넣냐안넣냐입니다. 사실.. 그런 미세공정까지는 몰라도 됩니다..ㅎ

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• 할

  할수있어.applied materials

  코부장 ∙ 채택률 65%

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  채택된 답변

  3NM 무조건 큽니다. 트랜지스터 양산을 아직 못합니다. 참고바랍니다.

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• 황

  황금파이프삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 77% ∙

  회사

  일치

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  채택된 답변

  디램은 트랜지스터 + 캐패시터가 하나의 단위이며, 현재 트랜지스터를 3nm로 양산하기 위해 고군분투하신다고 보면됩니다. 여기에 캐패시터까지 더해지면 3nm보다는 무조건 크죠

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• AD

  

  반도체

  설계팀

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