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안녕하십니까. 메모리 공정기술 직무에 준비중인 취준생입니다. 직무 공부중, 용어에 대해 질문할 것이 있어서 질문드립니다. Cycle time / Tact time / Pitch time / VA time / lead time 위 4가지 time 용어중 공정기술에서는 어떤 time을 주로 사용하나요??
안녕하세요. 포토 공정 관련해서 궁금한 사항이 있어서 질문을 올리게 되었습니다. 포토 공정을 진행하면서 RUNSHEET에서 EXPOSURE TIME, DEVELOP TIME, PROXIMITY GAP의 변화에 따라 CENTER, TOP, BOTTOM,LEFT, RIGHT DIE들의 ADI CD 변화를 해석하고자 합니다. 먼저 ADI CD 변화에 가장 영향을 미치는 공정 변수를 파악하고자 할 때, 양품의 ADI CD 대비 각 위치 다이들의 ADI CD 오차 변화율이 가장 큰 것이 ADI CD에 가장 영향을 미치는 공정 변수로 파악해도 될까요? 또한, 양품 ADI CD에서 오차 범위를 ±5%로 할 때 EXPOSURE TIME이 오차 범위 안에 가장 많이 들어왔다고 한다면 EXPOSURE TIME을 주요 공정변수로 잡아도 될까요?
안녕하세요. 최근 반도체 공정실습 진행 중 photolithography를 진행했습니다. 실험은 1) development time 2) exposure time 따른 ADI-CD 측정을 따로 진행했습니다. Positive PR을 썼고, CD는 공정을 마치고 남아있는 PR패턴의 CD로 정했습니다. 현상 시간 증가 -> 타겟 CD - 결과 CD 평균 증가(+), 산포 감소 노광 증가 -> 타겟 CD - 결과 CD 평균 증가(+), 산포 감소 1. target CD가 100um이고, 예를 들어 노광, 현상 시간 증가에 따라 96(산포 1)->94(산포 0.6)->92(산포 0.5) 로 타겟과 평균값이 멀어지면 시간을 감소시키는 것이 최선일까요? 2. 보통 노광 시간 조절로 CD를 조절한다고 해서, 이유를 알고 싶습니다. 3. 노광, 현상 시간 따라 CD 평균의 감소폭이 비슷하더라고요. 마스크로 빛이 도달 안한 부분도 현상액에 크게 반응하는거면 다른 현상액을 쓸 수도 있을까요?
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