Q. 반도체 공정과 관련된 질문을 만들고있는데 질문 평가부탁드립니다

답변 5

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  채택스포스코

  코부사장 ∙ 채택률 73%

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  채택된 답변

  안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. 해당 질문은 실무 레벨에서 충분히 나올 수 있는 형태입니다. 평균 Removal Rate와 Endpoint가 정상인데 전기적 특성에서 Dense Pattern만 이상이 보이는 경우는 실제로 자주 보는 편이고 단순 장비 이상보다는 패턴 밀도에 따른 dishing과 erosion 차이를 먼저 의심해보는 흐름이 자연스럽습니다. 특히 Cross section에서 Dense 영역 금속 손실이 더 크다면 공정 자체의 전체 평균값보다 로컬 패턴 영향과 slurry 선택성, 패드 상태, 다운포스 분포, 오버폴리시 여유를 함께 보는 방향이 맞습니다. 다만 질문을 더 실무답게 만들려면 무엇을 우선 고려하는지에 더해 어떤 공정 조건과 계측 데이터를 비교할지 조금 더 구체적으로 묻는 편이 좋습니다. 예를 들면 Pattern density별 dishing과 erosion 데이터, Pre and Post CMP 두께 맵, 전기적 저항 맵, 슬러리와 패드 사용 이력, endpoint 이후 over polish 구간 데이터를 함께 비교하도록 유도하면 현업 판단에 더 가까운 질문이 됩니다. 지금 질문도 충분히 적절하고 현장에서 일어날 수 있는 이슈로 볼 수 있습니다. 조금만 다듬으면 면접이나 기술면접용 질문으로도 아주 괜찮아 보입니다. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.

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  댓글 1

  미

  미래준비

  작성자

  2026.10.10

  감사합니다 근데 포스코 다니시는데 반도체 엔지니어 지식은 어디서 얻으시는건지 여쭈어도 될까요?

• P

  PRO액티브현대트랜시스

  코부사장 ∙ 채택률 100%

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  질문 자체는 상당히 잘 구성되어 있습니다. 실제 반도체 공정기술 면접이나 CMP 공정 트러블슈팅 질문으로 활용하기에 적절합니다. 특히 Wafer 평균 Removal Rate와 Endpoint는 정상인데 특정 Pattern 영역에서만 전기적 특성이 악화된다는 조건이 좋습니다. 평균 공정 지표만으로는 파악하기 어려운 국부적인 공정 편차를 분석하도록 유도하기 때문입니다. 기술적으로도 충분히 발생 가능한 이슈입니다. Cu CMP에서는 Dense Pattern과 Isolated Pattern의 패턴 밀도, 배선 폭, 주변 구조 등에 따라 국부적인 압력과 연마 거동이 달라질 수 있습니다. 이때 Dense 영역에서 Cu dishing이나 Barrier erosion이 심해지면 금속 단면적이 감소해 배선 저항이 증가할 수 있습니다. 다만 Cross-section에서 금속 손실이 관찰됐다는 정보만으로 특정 메커니즘을 확정할 수는 없습니다. 우선 고려할 현상은 Pattern-density-dependent Cu dishing 및 Cu/barrier erosion이며, 실제 원인을 구분하려면 패턴 구조와 공정 조건을 함께 확인해야 합니다. 데이터 비교 항목도 적절하게 확장할 수 있습니다. 우선 Dense와 Isolated 영역의 Cu recess, dishing depth, erosion depth 및 잔여 Cu 두께를 비교하고, 패턴 밀도와 배선 폭에 따른 저항 분포를 확인해야 합니다. 공정 데이터로는 Slurry 유량과 조성, Pad 상태 및 사용 이력, Downforce, Retaining Ring 조건, Polish time, 공정 단계별 Removal Rate 등을 비교할 수 있습니다. 또한 Cu와 Barrier의 연마 선택비, 패턴 웨이퍼와 Blanket Wafer의 결과 차이도 확인하면 원인 분석에 도움이 됩니다. 평균 Removal Rate가 정상이라는 사실은 특정 패턴 영역의 국부적인 금속 손실까지 정상이라는 의미는 아니기 때문입니다.

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• 벤

  벤틀리한번뿌시리LG디스플레이

  코사원 ∙ 채택률 50%

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  실무레벨에서 굉장히 적절한 질문이며, 간헐적으로 발생하는 이슈입니다. EPD는 참고용 data이지 절대적으로 믿고 판단할 수 없습니다. 또한 Removal Rate도 Pattern의 density, CD, shape에 따라 같은 die 내에서도 바뀔 수가 있습니다. 따라서 해당 issue에 대해서는 Pattern density에 따른 CMP의 removal rate를 고려하고, dummy pattern, 가압압력, 시간, 슬러리 교체 등을 고려해야 됩니다.

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  합격 메이트삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 77%

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  멘티님. 안녕하세요. ​구상하신 면접 질문은 구리 화학적 기계적 연마 공정의 웨이퍼 레벨 모니터링과 전기적 특성 검사 결과를 유기적으로 연결하여 실무적 통찰력을 아주 잘 드러낸 훌륭한 내용입니다. 조밀한 패턴 영역에서 발생하는 과도한 금속 손실과 배선 저항 증가 현상을 분석하기 위해 선택하신 접근법은 현업 공정 기술 직무에서 빈번하게 마주하는 핵심 이슈와 정확히 일치합니다. ​이 질문에 대응할 때는 과도한 연마로 인한 디싱과 조밀 패턴의 심화된 침식 메커니즘을 우선적으로 고려해야 합니다. 또한 웨이퍼 전체 평균 식각률이나 종점 검출 데이터 외에도 단위 면적당 패턴 밀도 차이에 따른 국부적 압력 분포와 슬러리의 선택비 데이터를 상호 비교해야 합니다. 실무진 면접관들에게 깊은 인상을 남길 수 있는 수준 높은 질문이므로 자신 있게 활용하시길 바랍니다. ​응원하겠습니다.

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  취뽀도우미입니다삼성SDS

  코이사 ∙ 채택률 96%

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  작성하신 질문은 반도체 소자 및 공정 엔지니어가 현업에서 충분히 마주할 수 있는 시나리오입니다. Cu CMP 공정 특성상 패턴 밀도에 따른 연마 속도 차이로 인해 디싱이나 에로전이 발생하기 쉽고, 이는 곧 금속 손실과 배선 저항 증가로 이어지기 때문에 실무적으로 자주 발생하는 이슈를 잘 포착하셨습니다. 특히 단순한 불량 현상을 묻는 것을 넘어 웨이퍼 레벨의 거시적 지표와 개별 패턴 영역의 미시적 결과를 연결 짓고 있어 지원자의 문제 해결 능력을 평가하기에 적절합니다. 우선적으로 고려해야 할 CMP 메커니즘으로는 패턴 밀도와 크기에 따른 압력 분포 차이로 발생하는 로딩 효과나 패드의 기계적 탄성을 들 수 있으며, 비교해야 할 데이터로는 인플루언스 팩터별 패턴 밀도맵, 프로파일러를 통한 단차 및 디싱 측정 결과, 그리고 인라인 센서의 모터 전류 변화 등이 있습니다. 이처럼 현업의 공정 메커니즘과 데이터 분석 능력을 다각도로 검증할 수 있는 좋은 질문이므로 그대로 활용하셔도 무방합니다.

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