Q. 메모리 반도체 관련 뉴스랑 지식 궁금한게 있습니다.

답변 1

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  프로답변러YTN

  코부사장 ∙ 채택률 85%

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  멘티님 Q1. NAND는 3D 구조로 수십~수백 단까지 적층해 저장 용량 위주로 발전하고, HBM의 DRAM은 신호 지연·발열 등 기술적 한계로 적층단수가 보통 4~12단 수준으로 제한됩니다. Q2. 삼성전자와 SK하이닉스는 현재 1c 단계 공정 DRAM 개발을 마쳤거나 양산 직전 단계로, SK하이닉스가 1c 공정 16Gb DDR5를 먼저 양산했고 삼성전자는 올해 하반기 양산이 공식화된 상태입니다. Q3. D램 신제품의 경우 양산 돌입 후 제품이 시장에 출하되기까지는 대략 3개월 내외가 소요되며, 실 고객사 공급 일정은 품질 테스트와 수율 안정화에 따라 일부 차이날 수 있습니다. Q4. 삼성전자의 CAPA(생산능력)는 본격적으로 HBM 테스트가 끝난 후 빠른 대량공급 체계 전환에서 큰 강점이 있고, 이는 대규모 AI, 서버 업체의 안정적 수주와 자체 맞춤형 HBM 개발 경쟁력으로 연결됩니다. Q5. 1b·1c DRAM 등 최신 세대 제품은 최초 양산 수율이 50% 내외에서 시작해 80~90% 수준의 안정적 수율에는 보통 약 6개월 정도가 걸린다는 게 업계의 일반적 평가입니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!

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